Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQA13N80-F109
FQA13N80-F109

FQA13N80-F109 ON Semiconductor

fqa13n80_f109-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.44 грн
10+171.46 грн
30+152.82 грн
120+141.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA13N80-F109 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA13N80-F109 за ціною від 179.57 грн до 471.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+216.19 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+263.82 грн
120+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : onsemi / Fairchild FQA13N80_F109-D.PDF MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.93 грн
10+241.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : onsemi fqa13n80_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.70 грн
30+222.74 грн
120+209.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 Виробник : ON-Semicoductor N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+179.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 Виробник : ON-Semicoductor N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+179.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 Виробник : FAIRCHILD MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 50.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.