Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FQA13N80_F109
FQA13N80_F109

FQA13N80_F109 ON-Semiconductor

info-tfqa13n80.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+195.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA13N80_F109 ON-Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA13N80_F109 за ціною від 191.24 грн до 456.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA13N80_F109 FQA13N80_F109 Виробник : ON-Semiconductor info-tfqa13n80.pdf N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+195.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : onsemi / Fairchild FQA13N80_F109-D.PDF MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.71 грн
10+219.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : onsemi fqa13n80_f109-d.pdf MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.60 грн
10+264.71 грн
120+195.41 грн
510+194.71 грн
1020+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Виробник : onsemi fqa13n80_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.10 грн
30+251.52 грн
120+210.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 Виробник : FAIRCHILD MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.