Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQA13N80-F109
FQA13N80-F109

FQA13N80-F109 ON Semiconductor

fqa13n80_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA13N80-F109 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA13N80-F109 за ціною від 200.26 грн до 513.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQA13N80_F109 FQA13N80_F109 ON-Semiconductor info-tfqa13n80.pdf FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
4+200.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 FQA13N80_F109 ON-Semiconductor info-tfqa13n80.pdf FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
4+200.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+254.45 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.16 грн
10+291.79 грн
120+277.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.14 грн
4+286.74 грн
10+270.86 грн
30+265.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 onsemi fqa13n80_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.35 грн
30+259.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 onsemi fqa13n80_f109-d.pdf MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+513.37 грн
10+265.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 FAIRCHILD MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+405.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 info-tfqa13n80.pdf
FQA13N80_F109
Виробник: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+200.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109 info-tfqa13n80.pdf
FQA13N80_F109
Виробник: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+200.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+254.45 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+384.16 грн
10+291.79 грн
120+277.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.14 грн
4+286.74 грн
10+270.86 грн
30+265.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.35 грн
30+259.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.37 грн
10+265.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109
Виробник: FAIRCHILD
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.