Інші пропозиції FQA13N80_F109 за ціною від 132.52 грн до 513.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQA13N80-F109 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor |
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor |
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQA13N80-F109 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQA13N80-F109 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQA13N80-F109 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 50.4A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQA13N80-F109 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQA13N80-F109 | onsemi |
MOSFETs TO-3P N-CH 600V |
на замовлення 352 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
| FQA13N80_F109 | FAIRCHILD | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.52 грн |
| FQA13N80_F109 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 200.26 грн |
| FQA13N80_F109 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 200.26 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 254.45 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 384.16 грн |
| 10+ | 291.79 грн |
| 120+ | 277.20 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.14 грн |
| 4+ | 286.74 грн |
| 10+ | 270.86 грн |
| 30+ | 265.00 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 470.35 грн |
| 30+ | 259.59 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 513.37 грн |
| 10+ | 265.80 грн |
| FQA13N80_F109 |
Виробник: FAIRCHILD
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.00 грн |





