FQA140N10 ON Semiconductor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 260.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA140N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA140N10 за ціною від 226.51 грн до 488.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA140N10 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA140N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel QFET |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQA140N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA140N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |