
FQA140N10 ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Gate charge: 285nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 560A
Case: TO3PN
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 510.08 грн |
3+ | 361.78 грн |
8+ | 341.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA140N10 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA140N10 за ціною від 245.52 грн до 612.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQA140N10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Gate charge: 285nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 375W Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 560A Case: TO3PN Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |