Продукція > ONSEMI > FQA140N10
FQA140N10

FQA140N10 ONSEMI

fqa140n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 560A
Gate charge: 285nC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.13 грн
10+399.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA140N10 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA140N10 за ціною від 238.41 грн до 596.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.68 грн
30+336.54 грн
120+284.15 грн
510+238.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+596.68 грн
30+336.54 грн
120+284.15 грн
510+238.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10-D.PDF
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.