Продукція > ONSEMI > FQA140N10
FQA140N10

FQA140N10 onsemi

fqa140n10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.99 грн
30+309.21 грн
120+260.73 грн
510+224.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA140N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA140N10 за ціною від 255.40 грн до 667.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.55 грн
3+350.14 грн
8+331.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : onsemi / Fairchild fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.40 грн
10+465.89 грн
30+320.72 грн
120+270.08 грн
270+255.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.86 грн
3+436.32 грн
8+397.23 грн
450+382.55 грн
1020+381.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.