Продукція > ONSEMI > FQA140N10
FQA140N10

FQA140N10 onsemi

fqa140n10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.31 грн
30+309.96 грн
120+261.36 грн
510+224.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA140N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA140N10 за ціною від 256.02 грн до 669.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.89 грн
3+348.68 грн
8+329.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : onsemi / Fairchild fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.97 грн
10+604.91 грн
30+311.93 грн
120+270.73 грн
2520+256.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.47 грн
3+434.51 грн
8+395.43 грн
450+383.47 грн
1020+379.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 Виробник : ON Semiconductor fqa140n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.