FQA27N25


FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqa27n25-d.pdf
Код товару: 214378
Виробник:
Мікросхеми > Інші мікросхеми

товару немає в наявності

очікується 2 шт:

2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQA27N25 за ціною від 104.11 грн до 330.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : onsemi / Fairchild FQA27N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.22 грн
10+213.83 грн
100+139.27 грн
450+122.70 грн
900+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqa27n25-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : ON Semiconductor 4268406233415337fqa27n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : onsemi fqa27n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.