Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQA27N25
FQA27N25

FQA27N25 Fairchild Semiconductor

FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA27N25 Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA27N25 за ціною від 109.20 грн до 330.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : onsemi / Fairchild FQA27N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.36 грн
10+213.92 грн
100+139.32 грн
450+122.76 грн
900+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqa27n25-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25
Код товару: 214378
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS46131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqa27n25-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : ON Semiconductor 4268406233415337fqa27n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA27N25 FQA27N25 Виробник : onsemi fqa27n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.