Інші пропозиції FQA38N30 за ціною від 228.62 грн до 544.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA38N30 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 300V N-Channel QFET |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQA38N30 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FQA38N30 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FQA38N30 | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
FQA38N30 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |