Технічний опис FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-3PN, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 198W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQA6N90C_F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA6N90C_F109 | Виробник : ONS/FAI | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
FQA6N90C-F109 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PN Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA6N90C-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |