Технічний опис FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 6, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 198, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 198, Bauform - Transistor: TO-3PN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQA6N90C_F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA6N90C_F109 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FQA6N90C-F109 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PN Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FQA6N90C-F109 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 198 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 198 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FQA6N90C-F109 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQA6N90C_F109 |
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Транзистори
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA6N90C-F109 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA6N90C-F109 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA6N90C-F109 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA6N90C-F109 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.