Продукція > ONSEMI > FQA9P25
FQA9P25

FQA9P25 ONSEMI

2907411.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+215.40 грн
100+149.38 грн
500+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA9P25 ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA9P25 за ціною від 97.85 грн до 305.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA9P25 FQA9P25 Виробник : onsemi / Fairchild FQA9P25_D-2313646.pdf MOSFETs 250V P-Channel QFET
на замовлення 8035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.79 грн
25+155.67 грн
100+113.30 грн
450+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9P25 FQA9P25 Виробник : onsemi fqa9p25-d.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.59 грн
30+161.98 грн
120+132.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9P25 FQA9P25 Виробник : ON Semiconductor fqa9p25cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.