| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.17 грн |
| 25+ | 147.76 грн |
| 100+ | 107.53 грн |
| 450+ | 92.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA9P25 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA9P25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA9P25 | Виробник : ONS/FAI |
 MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P Транзистори |
товару немає в наявності |
||
 |
FQA9P25 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |