Продукція > ONSEMI > FQAF11N90C
FQAF11N90C

FQAF11N90C onsemi

fqaf11n90c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.41 грн
30+231.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQAF11N90C onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQAF11N90C за ціною від 261.07 грн до 470.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQAF11N90C FQAF11N90C Виробник : onsemi fqaf11n90c-d.pdf MOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.04 грн
10+261.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C Виробник : ONSEMI 2907412.pdf Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+470.30 грн
10+410.84 грн
100+288.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C Виробник : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C Виробник : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C Виробник : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C Виробник : ONSEMI FQAF11N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.