FQAF11N90C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.28 грн |
| 30+ | 216.99 грн |
| 120+ | 194.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQAF11N90C onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQAF11N90C за ціною від 165.13 грн до 436.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQAF11N90C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQAF11N90C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 120 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FQAF11N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FQAF11N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FQAF11N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |