Продукція > FQB33N10LTM
FQB33N10LTM
Код товару: 114312
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQB33N10LTM за ціною від 97.15 грн до 167.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB33N10LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 8634 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FQB33N10LTM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQB33N10LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQB33N10LTM |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.28 грн |
| 10+ | 138.81 грн |
| 25+ | 117.02 грн |
| 100+ | 97.15 грн |
| FQB33N10LTM |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.67 грн |
| 10+ | 104.05 грн |
| FQB33N10LTM |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 148.75 грн |
| 10+ | 138.05 грн |
| 25+ | 136.67 грн |