Продукція > FQB > FQB33N10LTM
FQB33N10LTM

FQB33N10LTM

fqb33n10l-d.pdf
Код товару: 114312
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQB33N10LTM за ціною від 69.81 грн до 165.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQB33N10L_D-1809673.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.38 грн
10+131.80 грн
25+111.11 грн
100+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Виробник : onsemi fqb33n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.10 грн
10+102.20 грн
100+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Виробник : onsemi fqb33n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Виробник : ONSEMI fqb33n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 127W
Pulsed drain current: 132A
Technology: QFET®
On-state resistance: 55mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.