НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQB-020-ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole
товар відсутній
FQB020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24880.04 грн
10+ 21289.43 грн
30+ 18511.89 грн
105+ 18509.27 грн
255+ 18381.96 грн
510+ 18049.92 грн
FQB020ADC-007-MTDK-Lambda Americas IncDescription: FILTER 40VDC 20A PCB MOUNT
товар відсутній
FQB020ADC-007-STDK-Lambda Americas IncDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15402.34 грн
10+ 14591.4 грн
25+ 14336.41 грн
FQB020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17127.71 грн
10+ 16609.09 грн
30+ 14190.04 грн
60+ 13701.16 грн
FQB020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17127.71 грн
10+ 16609.09 грн
FQB060AN08A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20Lonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB10N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N50CFTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB10N50CFTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.35A; Idm: 40A; 143W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 143W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N50CFTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 10A N-Channel
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.49 грн
10+ 195.45 грн
25+ 160.77 грн
100+ 139.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB10N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60Consemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB10N60CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB10N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQB11M40CTM
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40FAIRCHIL
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40Consemi / FairchildMOSFET QFC 400V 530MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB11N40Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB11N40CTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.57 грн
10+ 165.27 грн
25+ 135.84 грн
100+ 117.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB11N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB11N40TMFAIRCHILD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 533
FQB11N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB11N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB11P06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11P06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11P06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB11P06TMONSEMIFQB11P06TM SMD P channel transistors
товар відсутній
FQB11P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 6453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.56 грн
10+ 111.69 грн
100+ 75.46 грн
500+ 62.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB11P06TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 449
FQB12N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 258
FQB12N50TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB12N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQB12N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB12N60TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 217
FQB12N60TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB12P10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
товар відсутній
FQB12P20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P20onsemi / FairchildMOSFET QF -200V 470MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB12P20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB12P20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 33360 шт:
термін постачання 1093-1102 дні (днів)
3+139.34 грн
10+ 114.71 грн
100+ 79.4 грн
800+ 57.88 грн
2400+ 57.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.06 грн
10+ 101.78 грн
100+ 81.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB12P20TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50Consemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB13N50CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB13N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB13N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB13N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQB13N50CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/13A/QFET C-Series
товар відсутній
FQB140N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L / FQI140N03L
Код товару: 45579
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N03L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N15FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N15FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB14N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N30FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N30onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB14N30FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
товар відсутній
FQB14N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.02 грн
Мінімальне замовлення: 188
FQB15N25Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15N25Cfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15P12FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15P12FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15P12fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15P12FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB15P12TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB15P12TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB16N15FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 451
FQB16N25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB16N25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB16N25CTMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB16N25CTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+80.98 грн
Мінімальне замовлення: 445
FQB16N25CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 370
FQB16N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
товар відсутній
FQB16N25TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17N08LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
товар відсутній
FQB17N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 1332
FQB17P06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB17P10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB17P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10Lonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB19N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10LFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 503
FQB19N10LTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 150MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB19N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20CTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQB19N20CTMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB19N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.06 грн
10+ 84.21 грн
100+ 67.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.27 грн
5+ 88.18 грн
13+ 63.57 грн
35+ 60.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 34308 шт:
термін постачання 613-622 дні (днів)
3+115.6 грн
10+ 95.09 грн
100+ 65.62 грн
500+ 65.29 грн
800+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+126.32 грн
5+ 109.88 грн
13+ 76.29 грн
35+ 72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+154.51 грн
86+ 133.34 грн
87+ 132.01 грн
107+ 102.69 грн
250+ 94.12 грн
500+ 60.39 грн
Мінімальне замовлення: 74
FQB19N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.35 грн
10+ 125.27 грн
100+ 87.28 грн
500+ 83.34 грн
800+ 63.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20TMFCS02+
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.26 грн
10+ 113.13 грн
100+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+143.47 грн
10+ 123.82 грн
25+ 122.58 грн
100+ 95.36 грн
250+ 87.39 грн
500+ 56.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB1N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1N60TMFAIRCHILDTO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
товар відсутній
FQB1P50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1P50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1P50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1P50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB1P50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V P-Channel QFET
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.24 грн
10+ 98.1 грн
100+ 67.59 грн
250+ 66.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.77 грн
10+ 90.78 грн
100+ 70.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
товар відсутній
FQB1P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -0.95A
Power dissipation: 63W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQB20N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N06Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N06LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N06LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB20N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB20N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB20N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.6 грн
Мінімальне замовлення: 740
FQB20N60Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB20N60Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB22P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB22P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB22P10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB22P10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB22P10TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.64 грн
10+ 100.96 грн
100+ 80.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB22P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB22P10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 63704 шт:
термін постачання 1091-1100 дні (днів)
3+137.04 грн
10+ 112.44 грн
100+ 77.43 грн
250+ 76.12 грн
500+ 74.15 грн
800+ 56.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB22P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.83 грн
1600+ 46.56 грн
2400+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB22P10TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB22P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB22P10TM_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB24N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB24N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB24N08FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB24N08Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB24N08FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
товар відсутній
FQB24N08TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.38 грн
25+ 83.92 грн
100+ 69.64 грн
1000+ 55.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQB25N33TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
товар відсутній
FQB25N33TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 217
FQB25N33TMonsemi / FairchildMOSFET 330V N-Channel MOSFET
товар відсутній
FQB25N33TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
товар відсутній
FQB25N33TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 330V NCH MOSFET
товар відсутній
FQB25N33TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCTonsemiDescription: Power Field-Effect Transistor, 2
Packaging: Bulk
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCTONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM-F085OSCT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+187.72 грн
Мінімальне замовлення: 190
FQB27N25TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 16606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 232
FQB27N25TMON Semiconductor / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB27N25TM-AM002ON SemiconductorMOSFET N-Ch 250V 25.5A D2Pak
товар відсутній
FQB27N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB27N25TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 232
FQB27N25TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQB27N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: N-CHANNEL ULTRAFET 250V, 25.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: 250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB27N25TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB27N25TM_AM002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
товар відсутній
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
товар відсутній
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB27P06Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB27P06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB27P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB27P06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB27P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 70MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB27P06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB27P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB27P06TM
Код товару: 165405
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQB27P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB27P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB27P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 971-980 дні (днів)
3+140.1 грн
10+ 115.46 грн
100+ 80.06 грн
250+ 74.15 грн
500+ 66.28 грн
800+ 54.93 грн
4800+ 52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB28N15FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB28N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB28N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N30FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N30FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
товар відсутній
FQB2N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N50Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N50TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
товар відсутній
FQB2N50TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
товар відсутній
FQB2N80module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N80FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N80TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
товар відсутній
FQB2N90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N90FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB2NA90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2NA90FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2NA90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2NA90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2NA90TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
товар відсутній
FQB2O25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2O25fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
товар відсутній
FQB2P25TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB2P40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
товар відсутній
FQB30N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LFAIRCHIL09+ DO-214
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LTMFAIRCHILD
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB30N06LTMFAIRCHIL..09+ BGA
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.6A; Idm: 128A; 79W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22.6A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB30N06LTMON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+98.78 грн
10+ 85.58 грн
25+ 84.73 грн
100+ 66.5 грн
250+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQB30N06LTMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.84 грн
10+ 101.88 грн
100+ 68.9 грн
500+ 55.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB30N06TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB30N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
товар відсутній
FQB32N12V2FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N12V2FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N12V2fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N12V2FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N12V2TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
товар відсутній
FQB32N12V2TM
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N20CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N20CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N20Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N20CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB32N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB32N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB33N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 52MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB33N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LFAIRCHIL..09+ TSSOP-56
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.34 грн
10+ 123.76 грн
25+ 104.34 грн
100+ 86.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.46 грн
10+ 100.66 грн
25+ 99.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQB33N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB33N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB33N10LTM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB33N10LTM
Код товару: 114312
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB33N10TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB33N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB33N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.78 грн
10+ 116.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQB33N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB33N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 75MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB34N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
FQB34N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V Single
товар відсутній
FQB34N20LTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 111
FQB34N20TM-AM002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 124A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 124A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34N20TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 121-130 дні (днів)
2+272.55 грн
10+ 241.49 грн
25+ 198.83 грн
100+ 172.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB34N20TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10onsemi / FairchildMOSFET QF -100V 60MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB34P10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34P10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB34P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34P10TMON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+124.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB34P10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 1064-1073 дні (днів)
2+200.58 грн
10+ 166.78 грн
100+ 117.46 грн
800+ 91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB34P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB34P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB34P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -33.5A,-100V, P-ch
товар відсутній
FQB34P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; Idm: -134A; 155W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Pulsed drain current: -134A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FQB34P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10TM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
FQB34P10TM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
FQB34P10TM-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB34P10TM-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET -33.5A,-100V, P-ch MOSFET
товар відсутній
FQB3N25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
товар відсутній
FQB3N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N30FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N30Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N30FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
товар відсутній
FQB3N30TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 740
FQB3N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CTMFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 452
FQB3N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB3N60CTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N60CTMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N80FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N80TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
товар відсутній
FQB3N90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N90FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB3N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB3P20Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 740
FQB3P20TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB3P50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
товар відсутній
FQB44N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N08FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N08FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 39MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB44N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB44N10 (транзистор)
Код товару: 57769
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FQB44N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 738-747 дні (днів)
2+165.37 грн
10+ 134.33 грн
100+ 94.5 грн
250+ 87.28 грн
500+ 76.78 грн
800+ 64.11 грн
4800+ 62.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB44N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB44N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQB44N10TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 39mOhm; 43,5A; 146W; -55°C ~ 175°C; FQB44N10TM TFQB44n10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.28 грн
11+ 56.1 грн
25+ 53.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB44N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB44N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.33 грн
10+ 122.9 грн
100+ 97.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM
Код товару: 172567
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQB44N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.06 грн
10+ 75.89 грн
25+ 72.57 грн
100+ 64.95 грн
250+ 59.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQB44N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.31 грн
10+ 133.24 грн
25+ 102.32 грн
100+ 65.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB45N03Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N03LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB45N15V2TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
товар відсутній
FQB45N15V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
товар відсутній
FQB45N15V2TM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB46N15TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 197
FQB46N15TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB46N15TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB47P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB47P06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB47P06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB47P06FSCSOP14
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB47P06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB47P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 924-933 дні (днів)
2+253.41 грн
10+ 209.79 грн
100+ 147.65 грн
800+ 116.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB47P06TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB47P06TM_AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+144.73 грн
10+ 130.27 грн
25+ 127.74 грн
100+ 98.71 грн
250+ 88.77 грн
500+ 79.29 грн
1000+ 69.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB47P06TM_AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB4N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20LTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
товар відсутній
FQB4N20TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 452
FQB4N25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
товар відсутній
FQB4N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
товар відсутній
FQB4N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N80FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N80TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB4N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 659-668 дні (днів)
3+150.82 грн
10+ 125.27 грн
100+ 87.28 грн
250+ 86.62 грн
500+ 84 грн
800+ 63.46 грн
2400+ 60.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB4N80TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB4N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB4N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB4N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+143.39 грн
10+ 115.04 грн
100+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N90FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB4P25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P25Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
товар відсутній
FQB4P25TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
товар відсутній
FQB4P40TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB4P40TM-NLFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 22MOHM D2PAK
товар відсутній
FQB50N06LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06L
Код товару: 78106
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FQB50N06LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB50N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB50N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB50N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB50N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB50N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB50N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB50N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB50N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB50N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB55N06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 314
FQB55N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB55N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 155
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.52 грн
10+ 147.96 грн
100+ 123.67 грн
500+ 95.01 грн
800+ 85.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB55N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB55N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB55N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB55N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.19 грн
10+ 138.86 грн
100+ 96.46 грн
800+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB55N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
товар відсутній
FQB58N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB58N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB58N08FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB58N08TMonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB5N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N15FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N15FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
товар відсутній
FQB5N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N20LTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
товар відсутній
FQB5N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
товар відсутній
FQB5N30Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
товар відсутній
FQB5N40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N40Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB5N40TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N50CFTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5N50CFTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB5N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.68 грн
10+ 116.97 грн
25+ 95.81 грн
100+ 82.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB5N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
товар відсутній
FQB5N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60Consemionsemi QFC 600V 2.5OHM D2PA
товар відсутній
FQB5N60CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5N60CTMFairchild SemiconductorDescription: 4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 503
FQB5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.67 грн
10+ 78.95 грн
100+ 62.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N60CTM-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 4.5A
товар відсутній
FQB5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.43 грн
10+ 106.41 грн
25+ 86.62 грн
100+ 74.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB5N60TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 478
FQB5N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 431
FQB5N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
товар відсутній
FQB5N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N80FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N80TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
товар відсутній
FQB5N90FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N90Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB5N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.37 грн
10+ 155.3 грн
100+ 125.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB5N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQB5N90TMonsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 16795 шт:
термін постачання 519-528 дні (днів)
2+208.24 грн
10+ 172.81 грн
25+ 145.68 грн
100+ 121.4 грн
250+ 117.46 грн
500+ 114.18 грн
800+ 95.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB5N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB5P10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P10Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
товар відсутній
FQB5P10TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQB5P20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
товар відсутній
FQB5P20TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB5P20TMonsemi / FairchildMOSFET P-CH/200V/4.8A/1.4OHM
товар відсутній
FQB60N03KN/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LTM
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LTMonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch Logic Level
товар відсутній
FQB630FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB630fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB630FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB630FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB630TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
товар відсутній
FQB65N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB65N06FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB65N06FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB65N06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB65N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+64.5 грн
Мінімальне замовлення: 314
FQB65N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB65N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N15FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
товар відсутній
FQB6N25FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N25FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N25TMRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB6N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFTMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFTMFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N40CFTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
FQB6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N40CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 369
FQB6N40CTMON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH/400V/6A/CFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQB6N40CTMFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N45FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N45fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N45FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N45FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N50FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N50FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
на замовлення 79845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB6N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60CFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB6N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 19124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+96.02 грн
Мінімальне замовлення: 204
FQB6N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N70fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N70FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N70FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N70FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N70TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB6N70TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N70TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+157.66 грн
Мінімальне замовлення: 124
FQB6N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N80FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N80TMON-SemicoductorN-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
товар відсутній
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.58 грн
10+ 80.82 грн
25+ 80.55 грн
100+ 68.01 грн
250+ 60.95 грн
500+ 55.99 грн
1000+ 48.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N90FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB6N90TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB6N90TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB6P25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 231
FQB70N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N10TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB70N10TMFairchild
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB70N10TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB70N10TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB7N10FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB7N10TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 952
FQB7N20FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
товар відсутній
FQB7N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
товар відсутній
FQB7N30Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 10034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 419
FQB7N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB7N40FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N40fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N40FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 233
FQB7N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; Idm: 29.6A; 142W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 142W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB7N60TMFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
товар відсутній
FQB7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB7N60TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.98 грн
25+ 62.87 грн
100+ 48.66 грн
1000+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
товар відсутній
FQB7N60TMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товар відсутній
FQB7N60TM-WSFairchild SemiconductorDescription: FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 307
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
на замовлення 800800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB7N65Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N65CFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N65CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N65CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB7N65CTMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N65CTMFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N65CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQB7N80FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80FAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80FAIRC09+ DIP16
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB7N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній