Продукція > FQB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB020ADC-007-M | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -55°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB020ADC-007-M | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB020ADC-007-S | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB020ADC-007-S | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB020ADC-N07-M | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB020ADC-N07-S | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB060AN08A0 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20L | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20L | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N50CFTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N50CFTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V 10A N-Channel | на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB10N60C | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N60C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N60CTM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB10N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N60CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB10N60CTM_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11M40CTM | на замовлення 284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB11N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11N40C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 400V 530MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11N40C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11N40CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11N40CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB11N40CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11N40TM | FAIRCHILD | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB11N40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB11P06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11P06TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W Gate charge: 17nC On-state resistance: 0.175Ω Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 53W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -45.6A Drain current: -8.05A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB11P06TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V P-Channel QFET | на замовлення 6453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N20L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12N50TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60CTM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB12N60CTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60CTM_NL | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CH/600V/12A/QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12N60TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 6990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12N60TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P10TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF -200V 470MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V P-Channel QFET | на замовлення 24695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | Fairchild | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P20TM | onsemi | MOSFETs 200V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 302 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB12P20TM_SB82075 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N06L | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N06L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N10L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50C | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB13N50CTM_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V/13A/QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB140N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB140N03L / FQI140N03L Код товару: 45579
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB140N03LTM | на замовлення 545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB14N03L | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB14N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB14N15TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB14N30 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB14N30 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB14N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB15N25C | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB15P12 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB15P12TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N15 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N15TM | ON Semiconductor | FQB16N15TM | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB16N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB16N15TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB16N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N25C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N25CTM | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N25CTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB16N25CTM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB16N25CTM | ON Semiconductor | FQB16N25CTM | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB16N25CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB16N25TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB16N25TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB17N08 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17N08L | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17N08LTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB17P06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17P10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB17P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N10L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N10L | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N10LTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | на замовлення 5002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N10LTM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB19N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 200V 150MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13.3A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A | на замовлення 620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | onsemi | MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20TM | FCS | 02+ | на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB19N20TM | onsemi | MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 11730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB19N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB1N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB1N60TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB1N60TM | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB1P50 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB1P50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V P-Channel QFET | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB1P50TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06L | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06LTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB20N06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB20N06TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB20N06TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB20N60L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10TM | Fairchild | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 21108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 7082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | onsemi | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 21644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3386 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB22P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB22P10TM_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB24N08 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB24N08TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB24N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33 | onsemi / Fairchild | MOSFET 330V, NCH, MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB25N33TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 330V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB25N33TM - MOSFET, N, SMD, TO-263 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 330V NCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085OSCT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085OSCT - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085OSCT | onsemi | Description: Power Field-Effect Transistor, 2 Packaging: Bulk | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27N25TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 16606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27N25TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085P | onsemi | Description: 250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085P | onsemi | Description: N-CHANNEL ULTRAFET 250V, 25.5A, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM_AM002 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27N25TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF -60V 70MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V P-Channel QFET | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06TM Код товару: 165405
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB27P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | onsemi | MOSFETs 60V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB27P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB27P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB28N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N50 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N50TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB2N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N80TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N90 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2NA90 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2NA90TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2O25 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2P25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2P25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2P25TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB2P40 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB2P40TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB2P40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 60V 35MOHM L D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06LTM | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB30N06TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB30N06TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB32N12V2 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB32N12V2TM | на замовлення 444 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB32N12V2TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V | на замовлення 100628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB32N20C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB32N20CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 100V 52MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Power dissipation: 127W Pulsed drain current: 132A Technology: QFET® On-state resistance: 55mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10LTM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB33N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10LTM Код товару: 114312
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB33N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 8634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB33N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB33N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB33N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel QFET | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Power dissipation: 127W Technology: QFET® On-state resistance: 52mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB33N10TM | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB33N10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 127 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 127 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 200V 75MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20LTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V Single | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20LTM | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 4687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20TM-AM002 | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel QFET | на замовлення 3216 шт: термін постачання 121-130 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34N20TM-AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34N20TM-AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF -100V 60MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM | onsemi | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ONS/FAI | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V | на замовлення 8242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB34P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET -33.5A,-100V, P-ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET -33.5A,-100V, P-ch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N25TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N30 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N30TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB3N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB3N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB3N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB3N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N60CTM | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N60CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB3N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N80TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N90 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3P20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3P20TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB3P20TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB3P50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB3P50TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB44N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB44N10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB44N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 100V 39MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB44N10 (транзистор) Код товару: 57769
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB44N10TM | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel QFET | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM Код товару: 172567
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB44N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB44N10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB44N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB45N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB45N15V2 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB45N15V2TM | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB45N15V2TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB45N15V2TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB46N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB46N15TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB47P06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF -60V 26MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB47P06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V P-Channel QFET | на замовлення 53867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi | MOSFETs 60V P-Channel QFET | на замовлення 44932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM_AM002 | Aptina Imaging | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB47P06TM_AM002 | ONS/FAI | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N20L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N20LTM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N20TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB4N20TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | на замовлення 10614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N25TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N80 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N80TM | onsemi | MOSFETs 800V N-Channel QFET | на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N80TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 800V N-Channel QFET | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB4N90 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4P25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4P25TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB4P25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4P40 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4P40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB4P40TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB4P40TM-NL | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB50N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 60V 22MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB50N06 | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB50N06L Код товару: 78106
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB50N06L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB50N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB50N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB50N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB55N06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB55N06TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB55N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB55N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel QFET | на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V | на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB55N10TM | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel QFET | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB58N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB58N08TM | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N20L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N20LTM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N20TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N30 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N30TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB5N40 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N40TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB5N40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50CF | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50CFTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60C | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60C | onsemi | onsemi QFC 600V 2.5OHM D2PA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60CTM | Fairchild Semiconductor | Description: 4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 3218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N60CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V,4.5A NCH MOSFET | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60CTM_WS | ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 4.5A (TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263A) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N60TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V | на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB5N60TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N80TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90TM | onsemi | MOSFETs 900V N-Channel QFET | на замовлення 12007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 709 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N90TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Channel QFET | на замовлення 13495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5N90TM | ONS/FAI | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB5P10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5P10TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB5P20 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5P20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5P20TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB5P20TM | onsemi / Fairchild | MOSFET P-CH/200V/4.8A/1.4OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB5P20TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB60N03K | N/A | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB60N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB60N03LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB60N03LTM | на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQB630 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB630TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB65N06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB65N06TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Ch Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB65N06TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V | на замовлення 6179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB65N06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB65N06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB6N15 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N15TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB6N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N25TM | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40CF | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40CFTM | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40CFTM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB6N40CTM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-CH/400V/6A/CFET | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N40CTM | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB6N45 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N50 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK | на замовлення 79845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N60 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N60C | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N60TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 19124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB6N70 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N70TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N70TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 3322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB6N80 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N80TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB6N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N80TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N80TM | ONS/FAI | MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N90 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N90TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6N90TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB6P25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB70N08 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB70N08TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB70N08TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB70N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB70N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB70N10TM | Fairchild | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB70N10TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB70N10TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N10L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N10TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N10TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N20L | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N20TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N30 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 10034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N30TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB7N60TM - MOSFET, N, SMD, TO-263 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N60TM-WS | Fairchild Semiconductor | Description: FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N60TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N60TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | на замовлення 800800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N65C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N65CTM | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N65CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 173W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V | на замовлення 7686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N80TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7N80TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P06 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P06TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK | на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB7P06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7P20 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET QF -200V 0.69OHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 200V P-Channel QFET | на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM Код товару: 177221
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 200V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB7P20TM_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB7P20TM_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8447L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB85N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB85N06TM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V | на замовлення 21566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB85N06TM_AM002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8876 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 20920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N60C | onsemi / Fairchild | MOSFETs QFC 600V 1.2OHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N60CFTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CFTM | FAIRCHILD | FQB8N60CFTM | на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 120300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 147W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 120300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 26400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 700 шт: термін постачання 80-89 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N90CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N90CTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 6.3 A, 1.9 ?, D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8N90CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8P10 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8P10TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V P-Channel QFET | на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB8P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB8P10TM | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB8P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB90N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB95N03 | FAIRCHILD | 03+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB95N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N08 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N08L | FAIRCHILD | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N08LTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 7169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9N08TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB9N08TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB9N08TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N25C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N25CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V | на замовлення 3222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9N25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N25TM | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 500V 800MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50C | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CF | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CF | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CFTM | FAIRCHIL.. | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB9N50CFTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 173W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | на замовлення 9738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9N50CFTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 173W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50CTM | ON Semiconductor | на замовлення 10400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB9N50CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9N50TM | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB9N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9P25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9P25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9P25TM | ONS/FAI | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQB9P25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQB9P25TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |