Продукція > FQB

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQB020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21308.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22403.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14731.96 грн
10+13529.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB020ADC-N07-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14986.04 грн
10+14532.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20Lonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N50CFTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 10A N-Channel
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.95 грн
10+205.62 грн
25+169.13 грн
100+147.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60Consemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60CTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB10N60CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11M40CTM
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40Consemi / FairchildMOSFET QFC 400V 530MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40CTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+173.86 грн
25+142.90 грн
100+123.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40TMFAIRCHILD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 6453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+117.50 грн
100+79.39 грн
500+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.175Ω
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -45.6A
Drain current: -8.05A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N50TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60CTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60CTMonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60CTM_NLonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/12A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20onsemi / FairchildMOSFETs QF -200V 470MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.87 грн
100+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.79 грн
250+177.67 грн
800+143.08 грн
1600+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 24695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.94 грн
10+119.88 грн
100+73.87 грн
500+64.68 грн
800+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 470mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.82 грн
5+140.43 грн
10+123.81 грн
50+90.58 грн
100+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.56 грн
1600+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.04 грн
500+77.03 грн
1000+62.06 грн
5000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.91 грн
89+159.55 грн
91+157.35 грн
127+107.81 грн
250+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMonsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 17872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+130.99 грн
100+78.70 грн
500+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.64 грн
90+158.20 грн
138+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.91 грн
10+159.55 грн
25+157.35 грн
100+107.81 грн
250+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.43 грн
10+138.53 грн
100+95.04 грн
500+77.03 грн
1000+62.06 грн
5000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM_SB82075onsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N06Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50Consemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB13N50CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/13A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB140N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB140N03L / FQI140N03L
Код товару: 45579
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8504409000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N03L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N30onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB14N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB15N25Cfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB15P12fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB15P12TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N15onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]