Продукція > ONSEMI > FQB34P10TM
FQB34P10TM

FQB34P10TM onsemi

FQB34P10CN-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.86 грн
1600+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB34P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB34P10TM за ціною від 103.81 грн до 294.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ON Semiconductor 3671956437878633fqb34p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : onsemi FQB34P10CN-D.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.47 грн
10+156.47 грн
100+127.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQB34P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.41 грн
10+169.90 грн
100+120.58 грн
500+118.99 грн
800+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+294.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM Виробник : ON-Semiconductor FQB34P10CN-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM Виробник : ONSEMI FQB34P10CN-D.pdf FQB34P10TM SMD P channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.02 грн
7+171.69 грн
20+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ON Semiconductor fqb34p10jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ON Semiconductor fqb34p10jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM Виробник : ON Semiconductor 3671956437878633fqb34p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.