Продукція > ONSEMI > FQB34P10TM
FQB34P10TM

FQB34P10TM onsemi

FQB34P10CN-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+92.63 грн
1600+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB34P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V.

Інші пропозиції FQB34P10TM за ціною від 90.78 грн до 294.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FQB34P10TM FQB34P10TM ON-Semiconductor info-tfqb34p10tm.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.59 грн
10+148.56 грн
100+105.44 грн
500+104.04 грн
800+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi FQB34P10CN-D.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
10+142.29 грн
100+115.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.64 грн
5+188.28 грн
10+165.58 грн
25+138.69 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi FQB34P10CN-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.09 грн
10+190.32 грн
100+116.61 грн
500+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM info-tfqb34p10tm.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.59 грн
10+148.56 грн
100+105.44 грн
500+104.04 грн
800+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.31 грн
10+142.29 грн
100+115.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+251.64 грн
5+188.28 грн
10+165.58 грн
25+138.69 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.09 грн
10+190.32 грн
100+116.61 грн
500+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.