Продукція > ONSEMI > FQB47P06TM-AM002
FQB47P06TM-AM002

FQB47P06TM-AM002 ONSEMI

2299972.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+159.23 грн
250+144.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB47P06TM-AM002 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQB47P06TM-AM002 за ціною від 104.08 грн до 364.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 Виробник : onsemi / Fairchild FQB47P06-D.PDF MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 53867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.70 грн
10+191.67 грн
100+123.77 грн
500+118.15 грн
800+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 Виробник : onsemi fqb47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.75 грн
10+188.56 грн
100+140.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 Виробник : ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.01 грн
10+187.93 грн
25+168.46 грн
50+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 Виробник : onsemi fqb47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 44502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.16 грн
10+229.68 грн
100+141.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 Виробник : ONSEMI 2299972.pdf Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.29 грн
10+241.22 грн
50+206.76 грн
100+159.23 грн
250+144.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM_AM002 Виробник : ONS/FAI FQx47P06.pdf MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.