FQB47P06TM-AM002 ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 130.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB47P06TM-AM002 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQB47P06TM-AM002 за ціною від 117.07 грн до 343.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 53867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 53470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQB47P06TM_AM002 | Виробник : Aptina Imaging | Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ONSEMI |
FQB47P06TM-AM002 SMD P channel transistors |
на замовлення 735 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB47P06TM_AM002 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |