FQB5N90TM ON Semiconductor
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 114.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB5N90TM ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB5N90TM за ціною від 94.70 грн до 173.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB5N90TM | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB5N90TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB5N90TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB5N90TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Channel QFET |
на замовлення 13321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB5N90TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |