Продукція > ONSEMI > FQB5N90TM
FQB5N90TM

FQB5N90TM ONSEMI

FQB5N90.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+201.79 грн
5+169.14 грн
10+157.53 грн
25+140.95 грн
50+127.68 грн
100+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB5N90TM ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQB5N90TM за ціною від 130.37 грн до 292.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi fqb5n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.92 грн
10+185.36 грн
100+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi fqb5n90-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90-D.PDF MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.92 грн
10+185.36 грн
100+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90-D.PDF
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.