Продукція > ONSEMI > FQB5N90TM
FQB5N90TM

FQB5N90TM onsemi

fqb5n90-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.09 грн
10+141.32 грн
100+113.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB5N90TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB5N90TM за ціною від 85.06 грн до 220.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB5N90TM FQB5N90TM Виробник : onsemi / Fairchild FQB5N90-D.PDF MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.62 грн
10+147.53 грн
100+103.19 грн
500+98.31 грн
800+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM Виробник : ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.26 грн
5+171.21 грн
10+159.46 грн
25+142.68 грн
50+129.25 грн
100+128.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM Виробник : onsemi fqb5n90-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.44 грн
10+174.80 грн
100+105.28 грн
500+100.40 грн
800+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM Виробник : onsemi fqb5n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.