Продукція > ONSEMI > FQD17P06TM
FQD17P06TM

FQD17P06TM onsemi

FQU17P06-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.48 грн
5000+28.14 грн
7500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD17P06TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD17P06TM за ціною від 29.86 грн до 122.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.66 грн
500+42.83 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.72 грн
10+70.69 грн
100+47.17 грн
500+34.79 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi / Fairchild 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.36 грн
10+76.85 грн
100+45.91 грн
500+36.09 грн
1000+32.89 грн
2500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ONSEMI FQU17P06-D.pdf Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.70 грн
50+83.29 грн
100+58.66 грн
500+42.83 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM Виробник : ONSEMI FQU17P06-D.pdf FQD17P06TM SMD P channel transistors
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.40 грн
23+51.49 грн
64+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM
Код товару: 144540
Додати до обраних Обраний товар

FQU17P06-D.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.