Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD17P06TM

FQD17P06TM

FQU17P06-D.pdf
Код товару: 144540
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD17P06TM за ціною від 24.43 грн до 124.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.45 грн
5000+25.43 грн
7500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.02 грн
500+38.71 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.73 грн
6+73.66 грн
10+64.56 грн
50+46.85 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi / Fairchild 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.99 грн
10+66.79 грн
100+39.90 грн
500+31.36 грн
1000+28.59 грн
2500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.60 грн
10+63.89 грн
100+42.63 грн
500+31.45 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : onsemi FQU17P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 19233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.09 грн
10+67.18 грн
100+39.83 грн
500+31.36 грн
1000+28.59 грн
2500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ONSEMI FQU17P06-D.pdf Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.66 грн
50+76.82 грн
100+52.86 грн
500+38.56 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM Виробник : ONS/FAI FQU17P06-D.pdf P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.