FQD17P06TM


FQU17P06-D.pdf
Код товару: 144540
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD17P06TM за ціною від 26.30 грн до 118.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.16 грн
500+35.12 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.10 грн
6+74.66 грн
10+65.44 грн
50+47.49 грн
100+41.56 грн
500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi / Fairchild 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.38 грн
10+67.69 грн
100+40.44 грн
500+31.79 грн
1000+28.97 грн
2500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.66 грн
50+72.69 грн
100+48.16 грн
500+35.12 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.72 грн
10+70.01 грн
100+46.71 грн
500+34.45 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 16368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.97 грн
10+72.30 грн
100+43.32 грн
500+34.04 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.16 грн
500+35.12 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+102.10 грн
6+74.66 грн
10+65.44 грн
50+47.49 грн
100+41.56 грн
500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.38 грн
10+67.69 грн
100+40.44 грн
500+31.79 грн
1000+28.97 грн
2500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.66 грн
50+72.69 грн
100+48.16 грн
500+35.12 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.72 грн
10+70.01 грн
100+46.71 грн
500+34.45 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 16368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.97 грн
10+72.30 грн
100+43.32 грн
500+34.04 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.