Продукція > ONSEMI > FQD19N10LTM

FQD19N10LTM onsemi

Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: 1054282-3
Price: 72850.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	29.14 грн
5000+	26.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQD19N10LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD19N10LTM за ціною від 13.52 грн до 114.78 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	37.05 грн
5000+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	39.67 грн
5000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
646+	50.14 грн
1000+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 646

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
646+	50.14 грн
1000+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 646

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0003584396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	52.67 грн
500+	38.99 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	55.03 грн
10+	32.63 грн
100+	21.02 грн
500+	15.03 грн
1000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Drain current: 9.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2084 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	102.36 грн
6+	74.70 грн
10+	65.19 грн
50+	46.94 грн
100+	41.13 грн
500+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	107.62 грн
12+	72.56 грн
100+	52.67 грн
500+	38.99 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : onsemi

MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

на замовлення 30192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	111.70 грн
10+	69.84 грн
100+	40.32 грн
500+	31.66 грн
1000+	28.93 грн
2500+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

на замовлення 10321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	114.78 грн
10+	70.03 грн
100+	46.72 грн
500+	34.47 грн
1000+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM
Код товару: 117287

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQD19N10LTM

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.