Продукція > ONSEMI > FQD19N10LTM
FQD19N10LTM

FQD19N10LTM onsemi

FQD19N10L-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD19N10LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQD19N10LTM за ціною від 25.39 грн до 116.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor 3655214895080355fqd19n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.27 грн
500+37.38 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.64 грн
12+52.16 грн
25+51.64 грн
100+40.64 грн
250+37.34 грн
500+29.65 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+66.84 грн
185+66.17 грн
240+51.06 грн
250+48.73 грн
500+36.59 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 6276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.80 грн
10+62.27 грн
100+46.04 грн
500+34.44 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.78 грн
10+59.49 грн
25+38.57 грн
67+36.50 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD19N10L-D.PDF MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.87 грн
10+67.69 грн
100+44.51 грн
500+36.19 грн
1000+31.68 грн
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.77 грн
12+71.86 грн
100+50.27 грн
500+37.38 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.14 грн
10+74.13 грн
25+46.29 грн
67+43.80 грн
500+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM
Код товару: 117287
Додати до обраних Обраний товар

FQD19N10L-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.