Продукція > ONSEMI > FQD19N10LTM
FQD19N10LTM

FQD19N10LTM onsemi


ONSM-S-A0003584396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD19N10LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FQD19N10LTM за ціною від 25.93 грн до 110.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI 1863443.pdf Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.95 грн
500+ 29.44 грн
2500+ 26.46 грн
7500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.08 грн
10+ 54.35 грн
100+ 42.28 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD19N10L_D-2313550.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 46329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.22 грн
10+ 60.47 грн
100+ 40.97 грн
500+ 34.72 грн
1000+ 28.26 грн
2500+ 27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.31 грн
12+ 63.79 грн
100+ 45.95 грн
500+ 29.44 грн
2500+ 26.46 грн
7500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+92.21 грн
8+ 48.55 грн
25+ 33.54 грн
67+ 31.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.66 грн
5+ 60.5 грн
25+ 40.25 грн
67+ 38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD19N10LTM FQD19N10LTM
Код товару: 117287
ONSM-S-A0003584396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Виробник : ON Semiconductor 3655214895080355fqd19n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній