FQD5P20TM onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.59 грн |
| 5000+ | 21.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD5P20TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FQD5P20TM за ціною від 21.00 грн до 103.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD5P20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD5P20TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 25387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
на замовлення 18903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD5P20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD5P20TM | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 1,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FQD5P20TM | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |