Продукція > ONSEMI > FQD5P20TM
FQD5P20TM

FQD5P20TM onsemi

fqu5p20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.27 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD5P20TM за ціною від 23.70 грн до 99.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.86 грн
25+33.29 грн
100+29.52 грн
250+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : onsemi / Fairchild FQU5P20-D.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 35361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.88 грн
10+39.38 грн
100+29.05 грн
500+26.85 грн
1000+25.43 грн
2500+23.85 грн
5000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ONSEMI 2303866.pdf Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.54 грн
20+45.66 грн
100+37.27 грн
500+30.51 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
25+41.49 грн
100+35.43 грн
250+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.64 грн
10+60.36 грн
100+39.94 грн
500+29.26 грн
1000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM Виробник : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.