FQD5P20TM onsemi


fqu5p20-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.26 грн
5000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.

Інші пропозиції FQD5P20TM за ціною від 26.29 грн до 98.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
5000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
5000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.17 грн
5000+36.02 грн
25000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+43.11 грн
332+42.68 грн
385+36.78 грн
394+34.65 грн
500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.83 грн
18+43.11 грн
25+42.68 грн
100+35.47 грн
250+32.08 грн
500+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI FQD5P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.57 грн
12+35.57 грн
100+30.84 грн
500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 17399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+59.62 грн
100+39.46 грн
500+28.91 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI 2303866.pdf Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 23231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.04 грн
5000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.04 грн
5000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.17 грн
5000+36.02 грн
25000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+43.11 грн
332+42.68 грн
385+36.78 грн
394+34.65 грн
500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.83 грн
18+43.11 грн
25+42.68 грн
100+35.47 грн
250+32.08 грн
500+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.57 грн
12+35.57 грн
100+30.84 грн
500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 17399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.41 грн
10+59.62 грн
100+39.46 грн
500+28.91 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM 2303866.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 23231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.