FQD5P20TM onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.26 грн |
| 5000+ | 21.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD5P20TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції FQD5P20TM за ціною від 26.29 грн до 98.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
на замовлення 17399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 45W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 3888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 23231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.04 грн |
| 5000+ | 29.29 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.04 грн |
| 5000+ | 29.29 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.17 грн |
| 5000+ | 36.02 грн |
| 25000+ | 34.92 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 329+ | 43.11 грн |
| 332+ | 42.68 грн |
| 385+ | 36.78 грн |
| 394+ | 34.65 грн |
| 500+ | 28.08 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.33 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.83 грн |
| 18+ | 43.11 грн |
| 25+ | 42.68 грн |
| 100+ | 35.47 грн |
| 250+ | 32.08 грн |
| 500+ | 26.95 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.57 грн |
| 12+ | 35.57 грн |
| 100+ | 30.84 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 17399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.41 грн |
| 10+ | 59.62 грн |
| 100+ | 39.46 грн |
| 500+ | 28.91 грн |
| 1000+ | 26.29 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





