Інші пропозиції FQD7P20TM за ціною від 27.92 грн до 128.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD7P20TM | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7P20TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7P20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 15593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7P20TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 6536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD7P20TM | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори |
на замовлення 340 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|