Інші пропозиції FQD7P20TM за ціною від 32.11 грн до 156.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD7P20TM | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1067500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Case: DPAK Polarisation: unipolar On-state resistance: 690mΩ Power dissipation: 55W Technology: QFET® Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 31452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQD7P20TM | onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 14750 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD7P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
на замовлення 10415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQD7P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
на замовлення 10415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FQD7P20TM | ONS/FAI |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори |
на замовлення 340 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.84 грн |
| 5000+ | 32.11 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.29 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.29 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.94 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.95 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1067500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 493+ | 72.31 грн |
| 547+ | 65.08 грн |
| 1000+ | 60.02 грн |
| 10000+ | 51.60 грн |
| 100000+ | 40.03 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 119.49 грн |
| 250+ | 78.51 грн |
| 1000+ | 69.79 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 127.98 грн |
| 10+ | 58.35 грн |
| 20+ | 47.70 грн |
| 55+ | 45.06 грн |
| 250+ | 43.82 грн |
| 500+ | 43.33 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 129.13 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 129.13 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 31452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.58 грн |
| 10+ | 79.10 грн |
| 50+ | 59.48 грн |
| 100+ | 49.85 грн |
| 500+ | 39.39 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.99 грн |
| 10+ | 96.72 грн |
| 100+ | 55.58 грн |
| 500+ | 44.10 грн |
| 1000+ | 39.20 грн |
| 2500+ | 35.83 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 10415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 10415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






