Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD7P20TM

FQD7P20TM

fqd7p20-d.pdf
Код товару: 149423
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD7P20TM за ціною від 27.94 грн до 117.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.21 грн
5000+28.84 грн
7500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : ONSEMI fqd7p20-d.pdf Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.28 грн
11+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD7P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.54 грн
10+58.91 грн
100+43.12 грн
500+34.73 грн
1000+31.52 грн
2500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+107.80 грн
10+59.22 грн
75+45.17 грн
100+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : onsemi fqd7p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.77 грн
10+63.73 грн
100+44.03 грн
500+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.14 грн
10+71.47 грн
100+47.91 грн
500+35.47 грн
1000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : ONSEMI fqd7p20-d.pdf Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : ON Semiconductor fqd7p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM Виробник : ON Semiconductor fqd7p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FQD7P20-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 770 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 690 мОм @ 2,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 55, Тексп, °C = -55..+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM Виробник : ONS/FAI fqd7p20-d.pdf MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.