Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD7P20TM

FQD7P20TM

fqd7p20-d.pdf
Код товару: 149423
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD7P20TM за ціною від 28.85 грн до 124.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
5000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.08 грн
10+63.01 грн
75+48.92 грн
100+46.43 грн
500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 39970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.56 грн
100+51.28 грн
500+37.96 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi / Fairchild FQD7P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM ONS/FAI fqd7p20-d.pdf MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
на замовлення 340 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.22 грн
5000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.08 грн
10+63.01 грн
75+48.92 грн
100+46.43 грн
500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 39970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
10+76.56 грн
100+51.28 грн
500+37.96 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20-D.PDF
FQD7P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
на замовлення 340 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.