Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP12N60C

FQP12N60C

FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp12n60c-d.pdf
Код товару: 166497
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP12N60C за ціною від 119.27 грн до 165.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP12N60C FQP12N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C ON Semiconductor fqp12n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C ON Semiconductor fqp12n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C ONSEMI ONSM-S-A0003584766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C fqp12n60c-d.pdf
FQP12N60C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+165.82 грн
500+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C fqp12n60c-d.pdf
FQP12N60C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C ONSM-S-A0003584766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP12N60C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.