Продукція > ONSEMI > FQP12N60C
FQP12N60C

FQP12N60C ONSEMI

ONSM-S-A0003584766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+149.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP12N60C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQP12N60C за ціною від 109.94 грн до 264.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP12N60C FQP12N60C Виробник : ON Semiconductor fqp12n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+167.15 грн
500+160.01 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C Виробник : onsemi / Fairchild FQP12N60C_D-2313746.pdf MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.55 грн
10+218.62 грн
25+179.42 грн
100+136.66 грн
1000+116.81 грн
2000+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C Виробник : FAIRCHILD fqp12n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+167.15 грн
500+160.01 грн
1000+150.84 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C
Код товару: 166497
Додати до обраних Обраний товар

fqp12n60c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C Виробник : ON Semiconductor fqp12n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C Виробник : onsemi fqp12n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.