
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 112.60 грн |
10+ | 100.98 грн |
25+ | 85.63 грн |
100+ | 71.62 грн |
250+ | 70.24 грн |
500+ | 67.63 грн |
1000+ | 60.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP12P10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP12P10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP12P10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FQP12P10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
FQP12P10 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQP12P10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |