Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP18N50V2
FQP18N50V2

FQP18N50V2 Fairchild Semiconductor

FAIRS25293-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+303.90 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP18N50V2 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP18N50V2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP18N50V2 Виробник : FAIRCHILD FAIRS25293-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP_PF18N50V2.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2 FQP18N50V2 Виробник : ON Semiconductor 1067591657032312fqp18n50v2.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2 FQP18N50V2 Виробник : onsemi FQP_PF18N50V2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2 FQP18N50V2 Виробник : onsemi / Fairchild fqp18n50v2-1192339.pdf MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.