FQP2N60C ON Semiconductor
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.06 грн |
15+ | 39.79 грн |
100+ | 36.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP2N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP2N60C за ціною від 25.59 грн до 92.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP2N60C | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP2N60C | Виробник : ON-Semicoductor |
N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP2N60C Код товару: 48426 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 180/8.5 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
FQP2N60C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQP2N60C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQP2N60C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
товар відсутній |