
FQP2N60C ON Semiconductor
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 45.02 грн |
15+ | 41.60 грн |
100+ | 38.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP2N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP2N60C за ціною від 28.20 грн до 40.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP2N60C | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FQP2N60C Код товару: 48426
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
![]() Uds,V: 600 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 180/8.5 |
товару немає в наявності
|
|
||||||
![]() |
FQP2N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
FQP2N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
FQP2N60C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FQP2N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |