Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP2N80
FQP2N80

FQP2N80 Fairchild Semiconductor

fqp2n80-d.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
283+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP2N80 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP2N80 за ціною від 72.72 грн до 146.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP2N80 FQP2N80 Виробник : onsemi / Fairchild FQP2N80_D-2314190.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.86 грн
10+130.01 грн
100+88.19 грн
500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 FQP2N80 Виробник : ON Semiconductor fqp2n80.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 FQP2N80 Виробник : ONSEMI fqp2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 6.3Ω
Drain current: 1.52A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.