Продукція > ONSEMI > FQP2N90
FQP2N90

FQP2N90 onsemi

fqp2n90-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+82.86 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP2N90 onsemi

Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm.

Інші пропозиції FQP2N90 за ціною від 76.16 грн до 150.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP2N90 FQP2N90 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.09 грн
11+84.73 грн
100+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 FQP2N90 Виробник : onsemi / Fairchild FQP2N90_D-1810003.pdf MOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.57 грн
10+134.37 грн
25+113.02 грн
100+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 FQP2N90
Код товару: 61646
Додати до обраних Обраний товар

fqp2n90-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 FQP2N90 Виробник : ON Semiconductor fqp2n90jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 FQP2N90 Виробник : onsemi fqp2n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.