FQP3P50 ON
Код товару: 154101
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Id,A: 2,7 A
Rds(on),Om: 3,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQP3P50 за ціною від 45.74 грн до 165.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP3P50 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP3P50 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V P-Channel QFET |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FQP3P50 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.63 грн |
| 50+ | 74.96 грн |
| 100+ | 67.32 грн |
| 500+ | 50.58 грн |
| 1000+ | 46.54 грн |
| FQP3P50 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V P-Channel QFET
MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.54 грн |
| 10+ | 80.00 грн |
| 100+ | 62.20 грн |
| 500+ | 49.87 грн |
| 1000+ | 45.74 грн |