
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.54 грн |
10+ | 110.16 грн |
100+ | 72.42 грн |
250+ | 67.05 грн |
500+ | 62.26 грн |
1000+ | 54.86 грн |
2500+ | 53.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3P50 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3P50 за ціною від 18.10 грн до 23.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP3P50 Код товару: 154101
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Id,A: 2,7 A Rds(on),Om: 3,9 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 510/18 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||
![]() |
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQP3P50 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |