FQP47P06

FQP47P06 onsemi / Fairchild


FQP47P06_D-2313837.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 30945 шт:

термін постачання 1097-1106 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.35 грн
10+ 185.92 грн
50+ 148.53 грн
100+ 131.44 грн
250+ 130.78 грн
500+ 117.64 грн
1000+ 106.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP47P06 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP47P06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP47P06
Код товару: 166999
fqp47p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQP47P06 FQP47P06 Виробник : ON Semiconductor fqp47p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP47P06 FQP47P06 Виробник : ON Semiconductor fqp47p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP47P06 FQP47P06 Виробник : ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQP47P06 FQP47P06 Виробник : onsemi fqp47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP47P06 FQP47P06 Виробник : ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній