
FQP47P06 ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP47P06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQP47P06 за ціною від 37.26 грн до 325.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP47P06 | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tube |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQP47P06 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQP47P06 Код товару: 166999
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|