Інші пропозиції FQP47P06 за ціною від 119.21 грн до 372.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP47P06 | ON-Semiconductor |
 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP47P06 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 174 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP47P06 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 3740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP47P06 | onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FQP47P06 |
|
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 138.83 грн |
| FQP47P06 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 276.47 грн |
| 5+ | 235.21 грн |
| 7+ | 153.50 грн |
| 17+ | 144.42 грн |
| 50+ | 141.95 грн |
| FQP47P06 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 359.44 грн |
| 10+ | 229.73 грн |
| 50+ | 179.70 грн |
| 100+ | 153.54 грн |
| 500+ | 127.07 грн |