
FQP6N60C ON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
391+ | 78.00 грн |
500+ | 74.68 грн |
1000+ | 70.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP6N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP6N60C за ціною від 70.54 грн до 78.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP6N60C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
FQP6N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQP6N60C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQP6N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |