Продукція > ONSEMI > FQP70N10
FQP70N10

FQP70N10 ONSEMI

2303843.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP70N10 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).

Інші пропозиції FQP70N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP70N10 FQP70N10 onsemi fqp70n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 ONS/FAI FQP70N10.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 FQP70N10 onsemi / Fairchild FQP70N10_D-2314192.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 ON Semiconductor fqp70n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 fqp70n10-d.pdf
FQP70N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 FQP70N10.pdf
Виробник: ONS/FAI
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 FQP70N10_D-2314192.pdf
FQP70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP70N10 fqp70n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.