Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP9N90C
FQP9N90C

FQP9N90C

fqpf9n90c-d.pdf
Код товару: 117719
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP9N90C за ціною від 174.83 грн до 415.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.15 грн
10+183.23 грн
50+174.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI 2304175.pdf Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.93 грн
10+212.62 грн
100+180.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C onsemi fqpf9n90c-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 997 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+415.47 грн
10+179.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+323.15 грн
10+183.23 грн
50+174.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C 2304175.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+351.93 грн
10+212.62 грн
100+180.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 997 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
КількістьЦіна
1+415.47 грн
10+179.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.