Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF2N60C
FQPF2N60C

FQPF2N60C Fairchild Semiconductor

fqpf2n60c-d.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
411+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF2N60C Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 23W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQPF2N60C за ціною від 59.97 грн до 71.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF2N60C Виробник : ON-Semicoductor fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : Fairchild fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : FAIRCHILD fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : FAIRCHILD fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : FAIRCHILD fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : FAIRCHILD fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : FAIRCHILD fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C
Код товару: 180861
Додати до обраних Обраний товар

fqpf2n60c-d.pdf FQPF2N60C-D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C FQPF2N60C Виробник : ON Semiconductor fqp2n60c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C FQPF2N60C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 23W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C Виробник : ON Semiconductor fqp2n60c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C FQPF2N60C Виробник : onsemi FQPF2N60C-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C FQPF2N60C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF2N60C_D-2313997.pdf MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.