Інші пропозиції FQPF5N60C за ціною від 51.48 грн до 81.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF5N60C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220FtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 20650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| FQPF5N60C | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
FQPF5N60C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |




