
FQPF5N60C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 52.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF5N60C ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF5N60C за ціною від 74.37 грн до 74.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FQPF5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQPF5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 20650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQPF5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQPF5N60C Код товару: 131269
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FQPF5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
FQPF5N60C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQPF5N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |