
FQPF7N65C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 66.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF7N65C ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQPF7N65C за ціною від 55.69 грн до 96.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
на замовлення 42681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQPF7N65C | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQPF7N65C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |