FQPF7N65C ON Semiconductor
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 56.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF7N65C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF7N65C за ціною від 55.67 грн до 137.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF7N65C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
на замовлення 26681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF7N65C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF7N65C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF7N65C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF7N65C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQPF7N65C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
товар відсутній |