FQPF9N90CT ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 224.88 грн |
| 100+ | 209.57 грн |
| 250+ | 202.87 грн |
| 500+ | 174.40 грн |
| 1000+ | 157.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N90CT ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N90CT за ціною від 125.83 грн до 389.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF9N90CT | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQPF9N90CT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQPF9N90CT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQPF9N90CT | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series |
на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQPF9N90CT Код товару: 148086
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
FQPF9N90CT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FQPF9N90CT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQPF9N90CT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Mounting: THT |
товару немає в наявності |