Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQPF9N90CT

FQPF9N90CT

FQPF9N90C-D.PDF
Код товару: 148086
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQPF9N90CT за ціною від 115.27 грн до 361.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+211.40 грн
100+198.79 грн
500+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.44 грн
100+224.52 грн
500+222.58 грн
1000+211.96 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.21 грн
5+225.17 грн
10+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi FQPF9N90C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.95 грн
50+173.08 грн
100+157.68 грн
500+122.66 грн
1000+115.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi FQPF9N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.83 грн
10+186.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT fqpf9n90cd.pdf
FQPF9N90CT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT fqpf9n90cd.pdf
FQPF9N90CT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+211.40 грн
100+198.79 грн
500+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT fqpf9n90cd.pdf
FQPF9N90CT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+246.44 грн
100+224.52 грн
500+222.58 грн
1000+211.96 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+338.21 грн
5+225.17 грн
10+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+344.95 грн
50+173.08 грн
100+157.68 грн
500+122.66 грн
1000+115.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+361.83 грн
10+186.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.