на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.88 грн |
| 10+ | 92.12 грн |
| 100+ | 62.07 грн |
| 500+ | 51.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQS4900TF onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N/P-CH 60V 1.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 300V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 20mA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FQS4900TF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQS4900TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 1.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 20mA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |