 
FQT4N20LTF onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 19.93 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT4N20LTF onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції FQT4N20LTF за ціною від 18.10 грн до 64.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 100000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 100000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15280 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.68A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3258 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 200V Single | на замовлення 28053 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | на замовлення 4016 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.68A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3258 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності |