Продукція > ONSEMI > FQT4N20LTF
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF onsemi

fqt4n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT4N20LTF onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQT4N20LTF за ціною від 18.12 грн до 81.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+35.31 грн
350+35.03 грн
430+28.52 грн
435+27.23 грн
539+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.72 грн
19+32.79 грн
25+32.53 грн
100+25.54 грн
250+23.41 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+38.99 грн
365+33.59 грн
500+27.38 грн
1000+24.98 грн
2000+19.48 грн
4000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : onsemi fqt4n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.57 грн
10+46.48 грн
100+32.05 грн
500+24.51 грн
1000+22.24 грн
2000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.82 грн
10+46.32 грн
35+27.03 грн
96+25.51 грн
500+24.87 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : onsemi / Fairchild fqt4n20l-d.pdf MOSFETs 200V Single
на замовлення 28217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.14 грн
10+53.07 грн
100+31.99 грн
250+31.91 грн
500+26.10 грн
1000+24.41 грн
2000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.39 грн
10+57.72 грн
35+32.43 грн
96+30.61 грн
500+29.85 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Виробник : ON Semiconductor fqt4n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.