Продукція > ONSEMI > FQT4N20LTF
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF onsemi

fqt4n20l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT4N20LTF onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQT4N20LTF за ціною від 19.03 грн до 60.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI FQT4N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.25 грн
11+39.22 грн
100+28.27 грн
250+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF onsemi fqt4n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+43.50 грн
100+30.00 грн
500+22.94 грн
1000+20.81 грн
2000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF onsemi / Fairchild FQT4N20L-D.pdf MOSFETs 200V Single
на замовлення 28053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20L.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.25 грн
11+39.22 грн
100+28.27 грн
250+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF fqt4n20l-d.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+43.50 грн
100+30.00 грн
500+22.94 грн
1000+20.81 грн
2000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20L-D.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V Single
на замовлення 28053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.