Інші пропозиції FQT5P10TF за ціною від 15.44 грн до 69.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -100V Single |
на замовлення 51772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FQT5P10TF | Виробник : ONS/FAI |
100 V P-Channel Mosfet SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |