Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQT5P10TF
FQT5P10TF

FQT5P10TF ON Semiconductor

fqt5p10-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT5P10TF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQT5P10TF за ціною від 19.86 грн до 70.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.98 грн
8000+23.86 грн
12000+23.73 грн
28000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.75 грн
250+34.25 грн
1000+22.93 грн
2000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : onsemi / Fairchild fqt5p10-d.pdf MOSFETs -100V Single
на замовлення 87104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
10+51.91 грн
25+38.38 грн
100+30.16 грн
250+29.87 грн
500+25.47 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.84 грн
50+48.08 грн
250+34.66 грн
1000+24.31 грн
2000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : onsemi fqt5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+51.37 грн
100+33.32 грн
500+24.55 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF
Код товару: 169563
Додати до обраних Обраний товар

fqt5p10-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B6513FAC8259&compId=FQT5P10.pdf?ci_sign=92fd95de9c5e0302675f6f0d3c35dba566362788 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : onsemi fqt5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B6513FAC8259&compId=FQT5P10.pdf?ci_sign=92fd95de9c5e0302675f6f0d3c35dba566362788 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.