Інші пропозиції FQT5P10TF за ціною від 15.40 грн до 69.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQT5P10TF | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs -100V Single |
на замовлення 51772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQT5P10TF | Виробник : ONS/FAI |
100 V P-Channel Mosfet SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FQT5P10TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FQT5P10TF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |