Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQT5P10TF

FQT5P10TF

fqt5p10-d.pdf
Код товару: 169563
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQT5P10TF за ціною від 21.73 грн до 68.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.86 грн
8000+27.73 грн
12000+27.58 грн
28000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF onsemi fqt5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+50.15 грн
100+32.52 грн
500+23.97 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF onsemi / Fairchild FQT5P10-D.pdf MOSFETs -100V Single
на замовлення 51772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.86 грн
8000+27.73 грн
12000+27.58 грн
28000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+50.15 грн
100+32.52 грн
500+23.97 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10-D.pdf
FQT5P10TF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -100V Single
на замовлення 51772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.