FQU13N06TU
Виробник:
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU13N06TU
Description: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU13N06TU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQU13N06TU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQU13N06TU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQU13N06TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |