НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQU10N20CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.52 грн
70+ 49.15 грн
140+ 35.68 грн
560+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.56 грн
12+ 47.6 грн
100+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQU10N20CTUonsemi / FairchildMOSFET N-CH/200V/10A/QFET
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.04 грн
10+ 58.1 грн
100+ 34.45 грн
500+ 28.77 грн
1000+ 24.47 грн
2500+ 22.22 грн
5040+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU10N20CTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+46.54 грн
332+ 34.57 грн
Мінімальне замовлення: 247
FQU10N20LTUonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQU10N20LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 781
FQU10N20LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU10N20LTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 650
FQU10N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 21774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 606
FQU10N20TU_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU11P06FAIRCHILD05+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU11P06FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU11P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU11P06TUON-SemicoductorP-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.49 грн
10+ 57.43 грн
100+ 38.69 грн
140+ 36.93 грн
210+ 33.85 грн
350+ 32.18 грн
500+ 30.48 грн
700+ 23.19 грн
1000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQU11P06TU
Код товару: 38375
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU11P06TUonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.03 грн
10+ 51.56 грн
100+ 34.39 грн
500+ 30.42 грн
1000+ 26.65 грн
2500+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU11P06TU.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU12N20TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU12N20TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU12N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU12N20TUONSEMIFQU12N20TU THT N channel transistors
товар відсутній
FQU13N06FAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.01 грн
17+ 34.22 грн
100+ 26.11 грн
500+ 22.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
FQU13N06LTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 44A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU13N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU13N06LTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 44A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU13N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.61 грн
10+ 66.85 грн
100+ 45.3 грн
500+ 37.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU13N06LTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 32592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.82 грн
70+ 54.44 грн
140+ 43.13 грн
560+ 34.31 грн
1050+ 27.95 грн
2030+ 26.31 грн
5040+ 24.65 грн
10010+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.65 грн
17+ 33.92 грн
100+ 24.81 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
FQU13N06LTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 52965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.27 грн
10+ 79.85 грн
100+ 54.09 грн
500+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU13N06TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU13N06TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FQU13N06TUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товар відсутній
FQU13N06TU
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU13N10FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU13N10LFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 29
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.47 грн
13+ 44.53 грн
100+ 32.48 грн
500+ 26.52 грн
1000+ 21.07 грн
2500+ 17.29 грн
5000+ 16.52 грн
10000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQU13N10LTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 180mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQU13N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU13N10LTUonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.81 грн
10+ 53.01 грн
100+ 36.7 грн
500+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU13N10TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU17P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 135MOHM IPAK
товар відсутній
FQU17P06TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.02 грн
20+ 48.03 грн
23+ 40.5 грн
62+ 38.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU17P06TU
Код товару: 126647
ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 7,6 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/21
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
2 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+25 грн
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU17P06TUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQU17P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.68 грн
10+ 58.55 грн
100+ 45.52 грн
500+ 36.21 грн
1000+ 29.5 грн
2000+ 27.77 грн
5000+ 26.01 грн
10000+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU17P06TUON Semiconductor / FairchildMOSFET -60V Single
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU17P06TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.16 грн
20+ 40.02 грн
23+ 33.75 грн
62+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQU18N20V2
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N50BTU
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2056+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 2056
FQU1N60FAIRCHILD2002 TO-126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N60Consemi / FairchildMOSFET QFC 600V 11.5OHM IPAK
товар відсутній
FQU1N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
FQU1N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.55 грн
10+ 44.79 грн
100+ 30.82 грн
250+ 30.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU1N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 607
FQU1N60TU
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N80TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Gate charge: 7.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU1N80TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Gate charge: 7.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
товар відсутній
FQU1N80TU
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N80TUON SemiconductorPOWER MOSFET
товар відсутній
FQU1N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V Single
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.92 грн
10+ 69.28 грн
100+ 46.95 грн
500+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU1N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.24 грн
10+ 52.7 грн
100+ 41 грн
500+ 32.61 грн
1000+ 26.57 грн
2000+ 25.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU1P50TU
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.55 грн
12+ 51.18 грн
100+ 35.43 грн
500+ 27.06 грн
1000+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQU20N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товар відсутній
FQU20N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.37 грн
70+ 47.15 грн
140+ 34.22 грн
560+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU20N06LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.98 грн
15+ 52.3 грн
100+ 40.06 грн
500+ 29.41 грн
1000+ 19.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQU20N06TU
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU20N06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 20736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 683
FQU2N100TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.96 грн
10+ 86.05 грн
100+ 67.36 грн
500+ 51.39 грн
1000+ 35.16 грн
5000+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQU2N100TUFairchildN-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQU2N100TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 89 грн
100+ 69.39 грн
500+ 53.8 грн
1000+ 42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQU2N100TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N100TUonsemi / FairchildMOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.73 грн
10+ 101.91 грн
100+ 69.44 грн
500+ 57.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQU2N100TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU2N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N40TU
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N50BTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 45243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 740
FQU2N50BTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N50BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 890
FQU2N50BTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N50BTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N50BTU-WSonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU2N50BTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU2N50BTU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU2N60onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU2N60FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N60B
на замовлення 70560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N60CTLTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU2N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N60CTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQU2N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU2N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.1 грн
10+ 74.76 грн
100+ 50.66 грн
500+ 41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU2N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 417
FQU2N60TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N60TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
FQU2N80onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU2N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FQU2N80TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 468
FQU2N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQU2N80TU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU2N90FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N90TUFairchild
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N90TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 320404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 579
FQU2N90TUFSC
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N90TU-AM002onsemi / FairchildMOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.33 грн
10+ 98.1 грн
100+ 66.79 грн
500+ 55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQU2N90TU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N90TU-AM002ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
товар відсутній
FQU2N90TU-AM002ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU2N90TU-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU2N90TU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N90TU-AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 473
FQU2N90TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU2N90TU-WSonsemi / FairchildMOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.75 грн
10+ 88.22 грн
100+ 59.45 грн
500+ 49.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.29 грн
10+ 76.33 грн
100+ 59.36 грн
500+ 47.22 грн
1000+ 38.47 грн
2000+ 36.21 грн
5000+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQU2N90TU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N90TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
товар відсутній
FQU2N90TU_AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU2N90TU_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N90TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU2P40TU
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU30N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FQU30N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU30N06TU
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU3N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU3N40TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 523
FQU3N40TU
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU3N50C
Код товару: 128758
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FQU3N50CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU3N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU3N50CTUonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU3N50CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU3N50CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 720
FQU3N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU3N60CTUON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
товар відсутній
FQU3N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU3N60TU
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU3N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 20684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQU3P20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
товар відсутній
FQU3P50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
товар відсутній
FQU4N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU4N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
товар відсутній
FQU4N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 606
FQU4N50TU
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU4N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 27877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 398
FQU4N50TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU4N50TU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU4N50TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
товар відсутній
FQU4N50TU-WSonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.07 грн
10+ 65.02 грн
100+ 44.11 грн
500+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU4N50TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU4N50TU-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
FQU4N50TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
товар відсутній
FQU4N50TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU4P25TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU4P40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU5N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU5N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 39
FQU5N40TUONSEMIFQU5N40TU THT N channel transistors
товар відсутній
FQU5N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+ 87.46 грн
100+ 58.86 грн
500+ 48.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU5N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.85 грн
10+ 78.67 грн
100+ 61.31 грн
500+ 47.53 грн
1000+ 39.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU5N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU5N40TU
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU5N50CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU5N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FQU5N50CTU-WSON SemiconductorN-Channel QFET® MOSFET
товар відсутній
FQU5N50CTU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU5N50CTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.16 грн
10+ 92.78 грн
100+ 62.49 грн
500+ 51.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQU5N50CTU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU5N50CTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU5N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
товар відсутній
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU5N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU5N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU5N60CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+28.4 грн
Мінімальне замовлення: 695
FQU5N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU5N60CTUonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/5A/QFET
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.47 грн
10+ 69.05 грн
100+ 47.68 грн
250+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQU5P20TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 12474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.95 грн
10+ 54.35 грн
100+ 42.36 грн
500+ 32.84 грн
1000+ 25.92 грн
2000+ 24.2 грн
5000+ 22.61 грн
10000+ 21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU5P20TUFairchild
на замовлення 20690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU5P20TUonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.07 грн
10+ 65.33 грн
100+ 44.31 грн
500+ 36.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU5P20TUONSEMIFQU5P20TU THT P channel transistors
товар відсутній
FQU5P20TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQU6N25TU
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU6N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
товар відсутній
FQU6N40CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
на замовлення 14242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU6N40CTU-NBEA001Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU6N40CTU_NBEA001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
товар відсутній
FQU6N40TU
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU6N50CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
товар відсутній
FQU6P25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
товар відсутній
FQU7N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU7N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQU7N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+36.8 грн
Мінімальне замовлення: 545
FQU7P06TUON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
товар відсутній
FQU7P06TURochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 38115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQU7P06TU-NB82048Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU7P06TU_NB82048ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
товар відсутній
FQU7P20FAIRCHILDTO-251
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU7P20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
товар відсутній
FQU7P20TU_AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
товар відсутній
FQU8N25
Код товару: 60926
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FQU8N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 430
FQU8N25TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній
FQU8P10
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU8P10TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.67 грн
10+ 54.56 грн
100+ 42.52 грн
500+ 32.96 грн
1000+ 26.02 грн
2000+ 24.29 грн
5000+ 22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQU8P10TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.1 грн
13+ 59.57 грн
100+ 42.66 грн
500+ 32.72 грн
1000+ 21.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQU8P10TUonsemi / FairchildMOSFET -100V Single
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU9N25TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 55W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 420mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU9N25TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU9N25TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQU9N25TUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 538
FQU9N25TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 55W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 420mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQUNX04Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
товар відсутній
FQUNX08Panduit CorpDescription: FIBER OPTIC CABLE OUTSIDE
товар відсутній