Продукція > FQU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FQU10N20CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+49.53 грн
332+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.93 грн
12+50.65 грн
100+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/200V/10A/QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 782
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 21774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20TU_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 185MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06FAIRCHILD05+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.63 грн
10+61.11 грн
100+41.17 грн
140+39.30 грн
210+36.03 грн
350+34.24 грн
500+32.43 грн
700+24.67 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON-SemicoductorP-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TU
Код товару: 38375
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TU.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUONSEMIFQU12N20TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06FAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUONSEMIFQU13N06LTU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.51 грн
17+36.41 грн
100+27.78 грн
500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.11 грн
10+74.37 грн
100+50.39 грн
500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.19 грн
17+36.10 грн
100+26.41 грн
500+21.77 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 21043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
70+52.85 грн
140+47.29 грн
560+36.29 грн
1050+33.45 грн
2030+30.91 грн
5040+27.57 грн
10010+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 52965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.42 грн
10+88.83 грн
100+60.18 грн
500+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TU
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+58.97 грн
100+40.83 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.71 грн
13+47.38 грн
100+34.56 грн
500+28.22 грн
1000+22.42 грн
2500+18.40 грн
5000+17.58 грн
10000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 135MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU
Код товару: 126647
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 7,6 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/21
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
2 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
16+53.73 грн
100+41.35 грн
500+33.41 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.53 грн
70+54.90 грн
140+49.15 грн
560+37.74 грн
1050+34.79 грн
2030+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON Semiconductor / FairchildMOSFET -60V Single
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU18N20V2
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N50BTU
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60FAIRCHILD2002 TO-126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 11.5OHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1439
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.80 грн
10+49.83 грн
100+34.28 грн
250+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.57 грн
18+34.78 грн
100+26.53 грн
500+22.19 грн
1000+17.96 грн
2500+15.81 грн
5040+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Pulsed drain current: 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Pulsed drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1439
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60TU
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUONSEMIFQU1N80TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V Single
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+77.07 грн
100+52.23 грн
500+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUON SemiconductorPOWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1P50TU
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.61 грн
15+58.18 грн
100+44.57 грн
500+32.72 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+65.49 грн
12+54.46 грн
100+37.70 грн
500+28.79 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 17796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06TU
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUONSEMIFQU2N100TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUFairchildN-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.64 грн
10+95.73 грн
100+74.94 грн
500+57.17 грн
1000+39.12 грн
5000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUonsemi / FairchildMOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.74 грн
10+113.37 грн
100+77.25 грн
500+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+99.01 грн
100+77.19 грн
500+59.85 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N40TU
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N50BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 45243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60B
на замовлення 70560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60Consemi / FairchildMOSFET QFC 600V 4.7OHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTLTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+83.17 грн
100+56.35 грн
500+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N60TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUFSC
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 320404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUFairchild
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N90TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 697
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002onsemi / FairchildMOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+109.14 грн
100+74.30 грн
500+61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemi / FairchildMOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.86 грн
10+98.14 грн
100+66.14 грн
500+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
70+59.25 грн
140+53.81 грн
560+42.46 грн
1050+39.60 грн
2030+37.03 грн
5040+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2P40TU
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU30N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU30N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU30N06TU
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TU
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50C
Код товару: 128758
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUONSEMIFQU3N50CTU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 21754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TU
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3P20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3P50TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 27877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.40 грн
10+72.34 грн
100+49.07 грн
500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSONSEMIFQU4N50TU-WS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4P25TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4P40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TU
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.00 грн
10+97.29 грн
100+65.48 грн
500+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 36535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.02 грн
20+43.08 грн
100+31.94 грн
500+24.60 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUONSEMIFQU5N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.87 грн
10+103.22 грн
100+69.52 грн
500+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSON SemiconductorN-Channel QFET® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/5A/QFET
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.40 грн
10+76.82 грн
100+53.04 грн
250+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 570
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; Idm: -14.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -14.8A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -2.34A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; Idm: -14.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -14.8A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -2.34A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUFairchild
на замовлення 20690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.40 грн
10+72.67 грн
100+49.29 грн
500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N25TU
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
на замовлення 14242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTU-NBEA001Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTU_NBEA001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40TU
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N50CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6P25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P06TURochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 38115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P06TUON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P06TU-NB82048Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P06TU_NB82048ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P20FAIRCHILDTO-251
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P20TU_AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8N25
Код товару: 60926
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8N25TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+60.69 грн
100+47.30 грн
500+36.67 грн
1000+28.95 грн
2000+27.02 грн
5000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10TUonsemi / FairchildMOSFET -100V Single
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU9N25TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU9N25TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU9N25TUONSEMIFQU9N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU9N25TUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 8414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 538
В кошику  од. на суму  грн.
FQU9N25TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQUNX04Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQUNX08Panduit CorpDescription: FIBER OPTIC CABLE OUTSIDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.