Продукція > FQU

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQU10N20CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/200V/10A/QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.98 грн
12+63.37 грн
100+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.54 грн
332+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20LTUonsemiMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 21774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU10N20TU_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06FAIRCHILD05+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 185MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.86 грн
10+76.46 грн
100+51.51 грн
140+49.17 грн
210+45.07 грн
350+42.84 грн
500+40.58 грн
700+30.87 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON-SemiconductorP-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TU
Код товару: 38375
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TU Транзистор---Р-канал 60В 9.4А, TO-251-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU11P06TU.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU12N20TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06FAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 115MOHM L IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.93 грн
10+69.78 грн
100+47.29 грн
500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.94 грн
17+45.56 грн
100+34.76 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
70+45.69 грн
140+40.89 грн
560+31.38 грн
1050+28.92 грн
2030+26.72 грн
5040+23.84 грн
10010+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.92 грн
500+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.92 грн
500+87.23 грн
1000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06LTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 52965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+83.36 грн
100+56.47 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TU
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N06TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.65 грн
10+55.33 грн
100+38.31 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.20 грн
13+59.28 грн
100+43.24 грн
500+35.30 грн
1000+28.05 грн
2500+23.02 грн
5000+22.00 грн
10000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU13N10TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 135MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 128469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+59.29 грн
1000+54.68 грн
10000+48.75 грн
100000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU
Код товару: 126647
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 7,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 690/21
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON Semiconductor / FairchildMOSFET -60V Single
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
16+52.43 грн
100+40.35 грн
500+32.61 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.54 грн
17+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU18N20V2
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N50BTU
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60FAIRCHILD2002 TO-126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 11.5OHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.00 грн
18+43.52 грн
100+33.19 грн
500+27.77 грн
1000+22.47 грн
2500+19.78 грн
5040+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.99 грн
10+46.76 грн
100+32.17 грн
250+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 607 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60TU
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V Single
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+72.32 грн
100+49.01 грн
500+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUON SemiconductorPOWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUONS/FAIMOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1P50TU
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUONS/FAIMOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.03 грн
15+56.78 грн
100+43.49 грн
500+31.93 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.94 грн
12+68.14 грн
100+47.16 грн
500+36.02 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 20176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06TUONS/FAIMOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06TU
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUonsemi / FairchildMOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+106.38 грн
100+72.49 грн
500+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
10+93.43 грн
100+73.13 грн
500+55.79 грн
1000+38.18 грн
5000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+96.62 грн
100+75.33 грн
500+58.40 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUFairchildN-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N40TU
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N50BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 45243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
на замовлення 28152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
10000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
на замовлення 17091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
10000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]