Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU1N80TU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQU1N80TU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQU1N80TU | ONS/FAI |
 MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FQU1N80TU | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FQU1N80TU | ON Semiconductor |
POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5040 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQU1N80TU |
|
Виробник: ONS/FAI
MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQU1N80TU |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQU1N80TU |
|
Виробник: ON Semiconductor
POWER MOSFET
POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику
од. на суму грн.