| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.13 грн |
| 10+ | 73.02 грн |
| 100+ | 49.49 грн |
| 500+ | 40.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU1N80TU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQU1N80TU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQU1N80TU |
 |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| FQU1N80TU | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
FQU1N80TU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |