Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQU1N80TU

FQU1N80TU onsemi / Fairchild

Name: FQU1N80TU
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 4941842-4
Price: 356.4 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V Single

на замовлення 5708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	89.10 грн
10+	79.22 грн
100+	53.69 грн
500+	44.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQU1N80TU onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU1N80TU

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQU1N80TU			на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FQU1N80TU	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQU1N80TU	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQU1N80TU	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.63A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.2nC Power dissipation: 45W Pulsed drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQU1N80TU	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQU1N80TU	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.63A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.2nC Power dissipation: 45W Pulsed drain current: 4A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.