FQU1N80TU

FQU1N80TU onsemi / Fairchild


FQU1N80_D-1809904.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V Single
на замовлення 5708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.48 грн
10+76.89 грн
100+52.11 грн
500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU1N80TU onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU1N80TU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU1N80TU fqu1n80-d.pdf
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU FQU1N80TU Виробник : ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU Виробник : ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU Виробник : ONSEMI fqu1n80-d.pdf FQU1N80TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N80TU FQU1N80TU Виробник : onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.