
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.48 грн |
10+ | 76.89 грн |
100+ | 52.11 грн |
500+ | 43.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU1N80TU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU1N80TU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQU1N80TU |
![]() |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
FQU1N80TU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FQU1N80TU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
FQU1N80TU | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQU1N80TU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |