FQU20N06LTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.58 грн |
| 12+ | 67.84 грн |
| 100+ | 46.96 грн |
| 500+ | 35.86 грн |
| 1000+ | 28.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU20N06LTU ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQU20N06LTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQU20N06LTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 17.2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 38 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQU20N06LTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


