Продукція > ONSEMI > FQU20N06LTU
FQU20N06LTU

FQU20N06LTU onsemi

fqu20n06l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
70+ 47.48 грн
140+ 34.46 грн
560+ 27.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU20N06LTU onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU20N06LTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQU20N06LTU FQU20N06LTU Виробник : ON Semiconductor 3669273401290669fqu20n06l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU20N06LTU FQU20N06LTU Виробник : onsemi / Fairchild FQU20N06L_D-1810075.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товар відсутній