
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.10 грн |
10+ | 82.76 грн |
100+ | 56.08 грн |
500+ | 46.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU2N60CTU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU2N60CTU за ціною від 22.13 грн до 22.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQU2N60CTU | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FQU2N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQU2N60CTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |