FS100R12KT4GBOSA1

FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6854.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FS100R12KT4GBOSA1 за ціною від 7095.46 грн до 8535.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7518.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9541ds_fs100r12kt4g_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7925.53 грн
5+7210.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8498.98 грн
5+7797.22 грн
10+7095.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9541ds_fs100r12kt4g_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+8535.19 грн
5+7764.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1
Код товару: 211681
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9541ds_fs100r12kt4g_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 790ds_fs100r12kt4g_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fi.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FS100R12KT4G_DS_v02_00_EN-2320619.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.