FS100R12KT4GBOSA1


Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81
Код товару: 211681
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FS100R12KT4GBOSA1 за ціною від 5908.53 грн до 9288.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 INFINEON INFNS28511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6618.69 грн
5+6428.34 грн
10+6237.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7821.44 грн
10+5908.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9288.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9288.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 INFNS28511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6618.69 грн
5+6428.34 грн
10+6237.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81
FS100R12KT4GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7821.44 грн
10+5908.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf
FS100R12KT4GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9288.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GBOSA1 infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf
FS100R12KT4GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+9288.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 6767 шт
6359 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
170 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
183 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL316J-500E (SOIC16)
Код товару: 37771
1 Додати до обраних Обраний товар
hcpl316j.pdf
HCPL316J-500E (SOIC16)
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-16
Тип: -
Uізол,kV: 3,7 kV
Iвх/Iвых,mA: /2500 mA
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 36 шт
22 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+220.00 грн
10+198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HER608
Код товару: 112398
1 Додати до обраних Обраний товар
her601-355474.pdf
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: D6
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 6 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 682 шт
435 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
89 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1
Код товару: 148689
Додати до обраних Обраний товар
description
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8441BB-D-IS
Код товару: 165598
Додати до обраних Обраний товар
Si844x.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.