Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FZT658TA за ціною від 18.86 грн до 92.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FZT658TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FZT658TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FZT658TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FZT658TA | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FZT658TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 19186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FZT658TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 13058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FZT658TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage |
на замовлення 13886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FZT658TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 13058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.17 грн |
| 2000+ | 23.96 грн |
| 3000+ | 22.84 грн |
| 5000+ | 20.25 грн |
| 7000+ | 19.54 грн |
| 10000+ | 18.86 грн |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.46 грн |
| 2000+ | 25.95 грн |
| 3000+ | 25.69 грн |
| 5000+ | 23.18 грн |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.53 грн |
| 2000+ | 26.01 грн |
| 3000+ | 25.76 грн |
| 5000+ | 23.24 грн |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.75 грн |
| 10+ | 41.46 грн |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.21 грн |
| 10+ | 55.89 грн |
| 100+ | 36.92 грн |
| 500+ | 27.01 грн |
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 13058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
на замовлення 13886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FZT658TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 13058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFP240PBF Код товару: 188578
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
- 10 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 98.00 грн |
| FZT758 (транзистор) Код товару: 47831
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP
Гранична частота fT, МГц: 50 МГц
Напруга Uке, В: 400 В
Напруга Uкб, В: 400 В
Струм Iк, А: 0,5 А
Гранична частота fT, МГц: 50 МГц
Напруга Uке, В: 400 В
Напруга Uкб, В: 400 В
Струм Iк, А: 0,5 А
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.50 грн |
| 2SC5200O (біполярний транзистор NPN) Код товару: 31995
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Гранична частота fT: 30 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 230 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 230 В
Струм колектора Ic, А: 15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 160
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Гранична частота fT: 30 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 230 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 230 В
Струм колектора Ic, А: 15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 160
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
- 10 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 30 шт
- 30 шт - очікується 25.07.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 116.00 грн |
| 10+ | 106.70 грн |







