на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 19.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT658TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FZT658TA за ціною від 13.53 грн до 94.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT658TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage |
на замовлення 25435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT658TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FZT658TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
FZT658TA NPN SMD transistors |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FZT658TA Код товару: 185805
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|