Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R50MT33K
G2R50MT33K

G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor

G2R50MT33K.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22529.96 грн
10+20368.71 грн
25+19863.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor

Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 536W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G2R50MT33K за ціною від 19610.40 грн до 26044.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R50MT33K G2R50MT33K Виробник : GENESIC G2R50MT33K.pdf Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24173.97 грн
5+23690.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24308.39 грн
10+22061.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24498.55 грн
10+22672.27 грн
30+19610.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26044.70 грн
10+23637.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf 3300V 50mΩ TO-247-4 SiC MOSFET, TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.