Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > G2R50MT33K
G2R50MT33K

G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc.

G2R50MT33K.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19167.05 грн
30+16936.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc.

Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G2R50MT33K за ціною від 25040.94 грн до 27591.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GENESIC 3967284.pdf Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K 3967284.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.