G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 19443.10 грн |
| 30+ | 17180.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G2R50MT33K за ціною від 17822.74 грн до 27034.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G2R50MT33K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
G2R50MT33K | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G2R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
G2R50MT33K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
G2R50MT33K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
G2R50MT33K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |