Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R12MT12K
G3R12MT12K

G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor

G3R12MT12K.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4338.75 грн
10+3890.30 грн
25+3781.16 грн
100+3399.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor

Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V, Power Dissipation (Max): 567W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R12MT12K за ціною від 3756.39 грн до 5056.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R12MT12K G3R12MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K-3479057.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5056.22 грн
10+4639.65 грн
30+3921.92 грн
120+3756.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4660.96 грн
10+4343.73 грн
30+4205.51 грн
120+3889.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5019.49 грн
10+4677.86 грн
30+4529.01 грн
120+4188.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf 1200V 12m TO-247-4 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.