G3R12MT12K Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4726.14 грн |
| 30+ | 3237.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R12MT12K Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V, Power Dissipation (Max): 567W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R12MT12K за ціною від 4822.82 грн до 5779.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5779.76 грн |
| 10+ | 5386.39 грн |
| 30+ | 5214.99 грн |
| 120+ | 4822.82 грн |
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 5779.76 грн |
| 10+ | 5386.39 грн |
| 30+ | 5214.99 грн |
| 120+ | 4822.82 грн |