Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R160MT12D
G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.91 грн
3+380.25 грн
7+370.70 грн
30+357.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 294.15 грн до 754.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.31 грн
10+396.63 грн
25+379.67 грн
100+333.41 грн
250+319.41 грн
500+308.60 грн
1000+294.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.82 грн
10+423.30 грн
30+344.42 грн
120+329.14 грн
270+317.69 грн
510+307.76 грн
2520+303.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.49 грн
3+473.85 грн
7+444.84 грн
30+428.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+533.71 грн
26+478.92 грн
27+458.71 грн
50+441.53 грн
100+384.29 грн
250+330.94 грн
500+305.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+571.84 грн
10+513.13 грн
25+491.47 грн
50+473.07 грн
100+411.74 грн
250+354.57 грн
500+326.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+754.60 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D
Код товару: 182442
Додати до обраних Обраний товар

G3R160MT12D-2449490.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.