Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R160MT12D
G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

G3R160MT12D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.28 грн
10+413.51 грн
25+395.86 грн
100+347.61 грн
250+333.01 грн
500+321.73 грн
1000+306.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 279.35 грн до 787.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.53 грн
10+438.38 грн
25+419.87 грн
50+404.15 грн
100+351.75 грн
250+302.92 грн
500+279.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+526.11 грн
26+472.10 грн
27+452.17 грн
50+435.24 грн
100+378.81 грн
250+326.22 грн
500+300.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D-3478722.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.28 грн
10+442.48 грн
30+361.22 грн
120+347.98 грн
270+336.21 грн
510+328.11 грн
1020+327.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+743.85 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.32 грн
3+474.51 грн
7+448.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D
Код товару: 182442
Додати до обраних Обраний товар

G3R160MT12D-2449490.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.