Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > G3R160MT12D

G3R160MT12D

G3R160MT12D-2449490.pdf
Код товару: 182442
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 275.45 грн до 848.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.42 грн
3+375.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.12 грн
10+384.59 грн
30+312.92 грн
120+299.04 грн
270+288.64 грн
510+279.62 грн
2520+275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+600.36 грн
10+538.73 грн
25+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+600.36 грн
26+538.73 грн
27+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.06 грн
30+363.88 грн
120+308.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+848.83 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.