G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 432.57 грн |
| 10+ | 373.78 грн |
| 25+ | 357.81 грн |
| 100+ | 314.2 грн |
| 250+ | 301.01 грн |
| 500+ | 290.81 грн |
| 1000+ | 277.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 266.56 грн до 709.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 123W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 40A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A On-state resistance: 0.16Ω |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 123W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 40A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A On-state resistance: 0.16Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 932 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
G3R160MT12D Код товару: 182442 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1200 V Idd,A: 13 A Rds(on), Ohm: 160 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 724/23 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |