Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R160MT12D
G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

G3R160MT12D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.64 грн
10+409.88 грн
25+392.35 грн
100+344.55 грн
250+330.08 грн
500+318.90 грн
1000+303.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 311.72 грн до 770.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.52 грн
10+437.44 грн
30+355.92 грн
120+340.14 грн
270+328.30 грн
510+318.04 грн
2520+313.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+545.12 грн
26+489.16 грн
27+468.51 грн
50+450.97 грн
100+392.50 грн
250+338.01 грн
500+311.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+584.06 грн
10+524.10 грн
25+501.98 грн
50+483.18 грн
100+420.54 грн
250+362.15 грн
500+333.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+770.73 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.23 грн
3+493.24 грн
7+465.61 грн
2520+465.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D
Код товару: 182442
Додати до обраних Обраний товар

G3R160MT12D-2449490.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.