Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > G3R160MT12D

G3R160MT12D

G3R160MT12D-2449490.pdf
Код товару: 182442
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 1200 В
Струм стоку Idd, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 160 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 724/23
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції G3R160MT12D за ціною від 304.12 грн до 856.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+428.39 грн
3+371.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.79 грн
10+543.60 грн
25+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+605.79 грн
26+543.60 грн
27+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.18 грн
30+358.83 грн
120+304.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+856.51 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+428.39 грн
3+371.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+605.79 грн
10+543.60 грн
25+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+605.79 грн
26+543.60 грн
27+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.18 грн
30+358.83 грн
120+304.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+856.51 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.