Інші пропозиції G3R160MT17D за ціною від 531.18 грн до 1174.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 15A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 175W Drain-source voltage: 1.7kV Technology: G3R™; SiC |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|