G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 809.91 грн |
10+ | 705.51 грн |
25+ | 677.46 грн |
100+ | 598.7 грн |
250+ | 575.38 грн |
500+ | 558.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R160MT17D за ціною від 661.92 грн до 1279.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1700V 160mO TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR | G3R160MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
G3R160MT17D Код товару: 175078 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|