Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R160MT17D
G3R160MT17D

G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor

G3R160MT17D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+898.47 грн
10+782.50 грн
25+751.41 грн
100+664.03 грн
250+638.16 грн
500+618.92 грн
1000+590.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R160MT17D за ціною від 630.48 грн до 975.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT17D G3R160MT17D Виробник : GENESIC 3189240.pdf Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.81 грн
5+859.12 грн
10+809.60 грн
50+717.29 грн
100+660.70 грн
250+658.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.88 грн
10+836.73 грн
30+684.18 грн
120+657.70 грн
270+637.84 грн
510+630.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+953.70 грн
2+734.76 грн
5+694.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D
Код товару: 175078
Додати до обраних Обраний товар

G3R160MT17D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.