G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 766.94 грн |
| 2+ | 631.20 грн |
| 5+ | 596.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G3R160MT17D за ціною від 605.70 грн до 1000.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Technology: G3R™; SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 392 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R160MT17D Код товару: 175078
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|