G3R20MT12K GENESIC
Виробник: GENESICDescription: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2102.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT12K GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 542W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G3R20MT12K за ціною від 1865.92 грн до 2942.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Case: TO247-4 |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 542W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |