G3R20MT12K

G3R20MT12K GENESIC


3189234.pdf Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2146.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R20MT12K GENESIC

Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 542W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R20MT12K за ціною від 1861.17 грн до 2893.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2411.07 грн
2+2116.82 грн
10+2055.02 грн
30+2035.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2518.30 грн
10+2229.85 грн
25+2157.27 грн
100+1924.24 грн
250+1861.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K-3478962.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2718.66 грн
10+2463.92 грн
30+2072.70 грн
120+1970.56 грн
270+1920.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2893.28 грн
2+2637.88 грн
10+2466.02 грн
30+2442.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.