G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3646.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 365W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G3R20MT12N за ціною від 3036.32 грн до 4593.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R20MT12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 365W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G3R20MT12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
G3R20MT12N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G3R20MT12N | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 365W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G3R20MT12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |