Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R20MT17K
G3R20MT17K

G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor

G3R20MT17K.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7591.77 грн
10+6781.67 грн
25+6581.76 грн
100+5903.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 809W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R20MT17K за ціною від 6880.71 грн до 9073.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R20MT17K G3R20MT17K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K-3478015.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9073.47 грн
10+8051.57 грн
30+6880.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.