G3R20MT17K Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8004.92 грн |
| 30+ | 6474.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT17K Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 809W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R20MT17K за ціною від 6436.52 грн до 8487.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R20MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G3R20MT17K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W Mounting: THT Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 400nC On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 88A Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 809W Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |