G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7516.20 грн |
| 10+ | 6871.99 грн |
| 30+ | 5799.54 грн |
| 120+ | 5699.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 809W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R20MT17K за ціною від 5941.42 грн до 7860.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R20MT17K | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 809W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|