Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > G3R20MT17N
G3R20MT17N

G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.

G3R20MT17N.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8889.61 грн
10+7476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.

Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 523W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції G3R20MT17N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R20MT17N G3R20MT17N GENESIC 3189221.pdf Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 523W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N 3189221.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 523W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.