G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9244.63 грн |
| 10+ | 7774.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 523W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA, Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R20MT17N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R20MT17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| G3R20MT17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)