G3R20MT17N

G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8165.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 523W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R20MT17N за ціною від 8706.63 грн до 11328.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R20MT17N G3R20MT17N Виробник : GENESIC 3189221.pdf Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9277.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9798.54 грн
3+9447.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10542.24 грн
10+9468.95 грн
25+9210.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11328.63 грн
10+10415.28 грн
30+8810.01 грн
100+8706.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r20mt17n.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.